[发明专利]一种含氮半导体石墨的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811528875.3 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109437185B 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 李四中 申请(专利权)人: 华侨大学
主分类号: C01B32/21 分类号: C01B32/21;H01L29/167
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 张松亭;姜谧
地址: 362000 福建省*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 石墨 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种含氮半导体石墨的制备方法,其特征在于:包括:将氮源与天然石墨颗粒混合后,于2400-3000℃恒温处理10-60min,其过程中氮元素在天然石墨颗粒中浓度梯度的驱动下扩散至天然石墨颗粒,得到所述含氮半导体石墨;所述氮源为氮化硅、氮化钛和碳化氮中的至少一种;氮源中的氮元素与所述天然石墨颗粒的质量比为0.2-50:100。

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:还包括将所述含氮半导体石墨进行超声处理或者微机械剥离。

3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述超声处理为在水、乙醇或DMF中进行超声处理。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华侨大学,未经华侨大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811528875.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code