[发明专利]一种硼掺杂半导体石墨的制备方法在审
| 申请号： | 201811528907.X | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109835892A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李四中 | 申请（专利权）人： | 华侨大学 |
| 主分类号： | C01B32/21 | 分类号： | C01B32/21;H01L29/167 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;姜谧 |
| 地址： | 362000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体石墨 碳原子 硼掺杂 硼元素 硼原子 制备 热处理 浓度梯度 石墨颗粒 温度环境 直径差别 石墨 掺杂的 活泼性 石墨烯 替代性 替代 硼源 掺杂 扩散 驱动 | ||
【权利要求书】：
1.一种硼掺杂半导体石墨的制备方法，其特征在于：包括：将硼源与石墨颗粒混合后，于2000-3000℃恒温处理1-1000min，其过程中硼元素在石墨颗粒中浓度梯度的驱动下扩散至石墨颗粒，得到所述硼掺杂半导体石墨。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：还包括将所述硼掺杂半导体石墨进行超声或者微机械剥离。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述石墨颗粒为天然石墨颗粒、人造石墨颗粒或可在2000-3000℃下转化为石墨的碳源颗粒。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述人造石墨颗粒为高定向热解石墨颗粒。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硼源包括硼、三氧化二硼、硼化镁、硼化钙、碳化硼、二硼化钛、二硼化锆、二硼化铪、二硼化钒、二硼化铊、二硼化铌、三硼化铬、硼化钼和硼化钨中的至少一种。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述硼源为硼、三氧化二硼和碳化硼中的至少一种。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硼源中的硼元素与所述石墨颗粒的质量比为0.2-50∶100。
8.如权利要求1至7中任一权利要求所述的制备方法，其特征在于：所述恒温处理的温度为2400-3000℃，时间为10-60min。
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