[发明专利]一种防止单晶硅生长炉高温计取光孔玻璃沾污的装置及方法在审
申请号: | 201811529112.0 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN111321459A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 秦瑞锋;鲁强;姜舰;连庆伟;盖晶虎;戴小林;吴志强 | 申请(专利权)人: | 有研半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B29/06 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘秀青 |
地址: | 101300 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 单晶硅 生长 高温 计取光孔 玻璃 沾污 装置 方法 | ||
本发明公开了一种防止单晶硅生长炉高温计取光孔玻璃沾污的装置及方法。该装置由悬挂板、连接杆、屏蔽环三部分组成,连接杆连接在悬挂板与屏蔽环之间;该装置位于热场的固化碳毡与炉体之间,屏蔽环、固化碳毡上的透光孔、炉体上的取光孔三者的几何中心位于一条直线上。本发明可以防止高温挥发物在走向排气孔的过程中沉积在温度较低的取光孔玻璃上,防止片状高温挥发物落在取光孔与透光孔之间造成光信号衰减,从而保证光信号的传递的稳定性,保证热场温度参考点的一致性,提高成晶率。
技术领域
本发明涉及一种防止单晶硅生长炉高温计取光孔玻璃沾污的装置及方法,属于单晶硅拉制技术领域。
背景技术
目前,采用直拉法制备单晶硅的自动化程度已经很高,其中温度控制已经完全实现自动化。加热功率依靠热场设定温度与热场实际温度的偏差来自动调节,而热场温度信号通过热场部件中石墨材质保温筒受热时发出的光信号转化而来。在单晶拉制过程中,炉中会产生大量的高温挥发物。高温挥发物在走向排气孔的过程中会不断地沉积在温度较低的取光孔玻璃上,这就会导致取光孔玻璃的透明度发生变化,造成光信号衰减,影响光信号的传递。此外,高温挥发物甚至会凝结在炉体内壁上,随着拉晶时间的增加,挥发物会以片状形式脱落,如果片状挥发物搭在了取光孔与透光孔之间,也将会影响光信号的传递。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防止单晶硅生长炉高温计取光孔玻璃沾污的装置,以防止光信号衰减,保证光信号传递的稳定性,提高单晶成晶率。
本发明的另一目的在于提供一种使用上述装置防止单晶硅生长炉高温计取光孔玻璃沾污的方法。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种防止单晶硅生长炉高温计取光孔玻璃沾污的装置,该装置由悬挂板、连接杆、屏蔽环三部分组成,连接杆连接在悬挂板与屏蔽环之间;该装置位于热场的固化碳毡与炉体之间,屏蔽环、固化碳毡上的透光孔、炉体上的取光孔三者的几何中心位于一条直线上。
本发明的装置所用材质可承受500摄氏度高温,其中,所述屏蔽环优选为石墨材质或者碳纤维材质。
优选地,所述连接杆与悬挂板的连接处为梯形状。
优选地,所述屏蔽环的内径大于透光孔与取光孔的内径。
一种使用所述装置防止单晶硅生长炉高温计取光孔玻璃沾污的方法,包括以下步骤:
(1)检查保温桶与加热器之间的距离是否相等;
(2)将固化碳毡安装在保温桶之外,确保固化碳毡上透光孔与炉体上取光孔的几何中心位于一条直线上;
(3)将所述装置安装在固化碳毡与炉体中间,确保固化碳毡透光孔、屏蔽环、炉体上取光孔三者的几何中心位于一条直线上。
本发明的优点在于:本发明可以防止高温挥发物在走向排气孔的过程中沉积在温度较低的取光孔玻璃上,防止片状高温挥发物落在取光孔与透光孔之间,从而防止光信号随着单晶炉运行时间的增长而衰减,增强光信号的传递的稳定性,保证热场温度参考点的一致性,提高成晶率。
附图说明
图1为本发明的防止单晶硅生长炉高温计取光孔玻璃沾污的装置的结构示意图。
图2为将本发明的装置安放在热场与炉体之间的结构示意图。
具体实施方式
下面通过附图和实施例对本发明做进一步说明,但并不意味着对本发明保护范围的限制。
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