[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基准电流生成电路，生成基准电流；

第一MIS晶体管，在电源电压节点与第一节点之间形成源极漏极路径，通过对所述基准电流进行电流镜像，来生成第一电流；

第二MIS晶体管，源极与接地电源电压节点连接，在所述第一节点与所述接地电源电压节点之间形成源极漏极路径；

第一端子，用于将所述第一节点经由第一电容连接到所述接地电源电压节点；

第二端子，用于将与所述第二MIS晶体管的栅极连接的第二节点经由第二电容连接到所述接地电源电压节点、以及用于将与所述第二MIS晶体管的栅极连接的第二节点经由晶体振子连接到所述第一端子；

反馈电阻，插入于所述第一节点与所述第二节点之间；以及

比较器电路块，以第一比较电压为基准对在所述第一节点中生成的具有第一振幅的第一振荡信号进行大小判定，生成具有比所述第一振幅大的第二振幅的第二振荡信号。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一MIS晶体管进一步构成为能够根据表示所述晶体振子的负载电容值的第一模式设定信号可变地设定晶体管尺寸，在所述晶体振子的所述负载电容值是第一负载电容值时，将所述第一电流的电流值设定为第一电流值，在所述负载电容值是比所述第一负载电容值大的第二负载电容值时，将所述第一电流的电流值设定为比所述第一电流值大的第二电流值。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二MIS晶体管在亚阈值区域中动作，

所述基准电流生成电路使所述基准电流与温度成比例地增加。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述基准电流生成电路具备：

第一n沟道型MIS晶体管；

电流值设定用电阻，插入于所述第一n沟道型MIS晶体管的源极与所述接地电源电压节点之间；

第二n沟道型MIS晶体管，源极与所述接地电源电压节点连接，栅极以及漏极与所述第一n沟道型MIS晶体管的栅极连接；

第一p沟道型MIS晶体管，源极漏极路径与所述第一n沟道型MIS晶体管的源极漏极路径串联连接；以及

第二p沟道型MIS晶体管，源极漏极路径与所述第二n沟道型MIS晶体管的源极漏极路径串联连接，与所述第一p沟道型MIS晶体管构成电流镜电路，

所述第一MIS晶体管与所述第一以及第二p沟道型MIS晶体管构成电流镜电路，

所述第一以及第二n沟道型MIS晶体管在亚阈值区域中动作。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二MIS晶体管在亚阈值区域中动作，

在“所述第二负载电容值/所述第一负载电容值”的值是“M”的情况下，“所述第二电流值/所述第一电流值”的值成为“M”的平方。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述比较器电路块包括：

比较电压生成电路，生成所述第一比较电压；以及

差动放大电路，对所述第一振荡信号和所述第一比较电压的差分进行放大，

所述比较电压生成电路具备：

第三MIS晶体管，在所述电源电压节点与第三节点之间形成源极漏极路径，通过对所述基准电流进行电流镜像，来生成第三电流；以及

第四MIS晶体管，具有与所述第二MIS晶体管相同的晶体管尺寸，源极与所述接地电源电压节点连接，并且在所述第三节点与所述接地电源电压节点之间形成源极漏极路径，栅极与漏极被共同连接，

在所述第三节点中生成所述第一比较电压。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述比较电压生成电路进一步具备多个所述第四MIS晶体管，

多个所述第四MIS晶体管在所述第三节点与所述接地电源电压节点之间，分别并联连接。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述差动放大电路具有迟滞特性。