[发明专利]门极可关断晶闸管及其制造方法

权利要求书

1.一种双门极可关断晶闸管，包括自下而上依次形成的第一导电类型的第一基区、第二导电类型的第二基区、第一导电类型的第三基区和第二导电类型的第四基区，以及还包括形成在所述第一基区下表面的阳极金属、形成在所述第四基区上表面的阴极金属，其特征在于，所述第二基区被配置为曝露出相对两端的上表面，所述第三基区被配置为曝露出相对两端的上表面，在所述第二基区的曝露出的相对两端的上表面分别设置有第一门极金属，在所述第三基区的曝露出的相对两端的上表面分别设置有第二门极金属。

2.根据权利要求1所述的双门极可关断晶闸管，其特征在于，所述第一导电类型为P型导电类型材料，所述第二导电类型为N型导电类型材料。

3.根据权利要求1所述的双门极可关断晶闸管，其特征在于，所述第一门极金属与所述第三基区之间设有第一侧墙，所述第二门极金属与所述第四基区之间设有第二侧墙。

4.根据权利要求3所述的双门极可关断晶闸管，其特征在于，所述第一侧墙和所述第二侧墙的材料选自正硅酸乙酯。

5.根据权利要求1所述的双门极可关断晶闸管，其特征在于，所述第一基区的下表面与所述阳极金属之间还形成有重掺杂的第一导电类型的第五基区。

6.根据权利要求5所述的双门极可关断晶闸管，其特征在于，所述第五基区采用注入氟化硼形成，注入氟化硼的注入剂量为5E15CM^-2，注入能量为50KeV。

7.一种双门极可关断晶闸管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

在第二导电类型的第二基区的下表面生长出第一导电类型的第一基区，在所述第二基区的上表面生长出第一导电类型的第三基区，在所述第三基区的上表面生长出第二导电类型的第四基区；

将所述第四基区相对的两端刻蚀掉，曝露出所述第三基区相对两端的上表面，将所述第三基区的曝露部分相对的两端刻蚀掉，曝露出所述第二基区相对两端的上表面，保留部分所述第三基区的曝露部分；

在所述第四基区的上表面制作阴极金属，在所述第一基区的小表面制作阳极金属，在所述第二基区曝露的两端的上表面分别制作第一门极金属，在所述第三基区曝露的两端的上表面分别制作第二门极金属。

8.根据权利要求6所述的门极可关断晶闸管的制造方法，其特征在于，所述第二导电类型为N型导电类型材料，所述第一导电类型为P型导电类型材料。

9.根据权利要求6所述的门极可关断晶闸管的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：在所述第一门极金属与所述第三基区之间制作第一侧墙，在所述第二门极金属与所述第四基区之间制作第二侧墙，所述第一侧墙和所述第二侧墙的材料选自正硅酸乙酯。

10.根据权利要求6所述的门极可关断晶闸管的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：在所述第一基区的下表面向所述第一基区内注入重掺杂的第一导电类型材料形成第五基区；所述第五基区采用注入氟化硼形成，注入氟化硼的注入剂量为5E15CM^-2，注入能量为50KeV。