[发明专利]晶圆级超声波芯片组件及其制造方法

权利要求书

1.一种晶圆级超声波芯片组件，其特征在于，包括：

一晶圆基板，包含一贯通槽，该贯通槽贯通该晶圆基板的一第一表面及一第二表面，该第一表面及该第二表面彼此相对；

一超声波元件，位于该晶圆基板的该第一表面，且该超声波元件具有一上表面及一下表面，该超声波元件的该下表面曝露于该贯通槽；

一第一保护层，位于该晶圆基板的该第一表面并围绕该超声波元件；

一第一导电线路及一第二导电线路，位于该第一保护层上，并分别连接至该超声波元件的该上表面；

一第二保护层，覆盖该第一导电线路及该第二导电线路，该第二保护层具有一开口，该超声波元件的该上表面对应于该开口；

一传导材料，位于该开口内且接触该超声波元件的该上表面；

一特用芯片，包含彼此相对的一连接面及一底面，该连接面与该晶圆基板的该第二表面连接，且该贯通槽位于该特用芯片的该连接面及该超声波元件的该下表面之间形成一空间；

一导电柱，设置于贯穿该特用芯片、该晶圆基板、及该第一保护层的一穿孔中，该导电柱与该第一导电线路或该第二导电线路连接；以及

一焊接部，位于该特用芯片的底面，该焊接部连接该导电柱。

2.根据权利要求1所述的晶圆级超声波芯片组件，其特征在于，该特用芯片的该连接面与该晶圆基板的该第二表面通过阳极处理直接连接。

3.根据权利要求1所述的晶圆级超声波芯片组件，其特征在于，该超声波元件包括依序堆栈于该晶圆基板上的一第一压电层、一第一电极、一第二压电层及一第二电极，其中该第二压电层及该第二电极未覆盖住该第一电极的部分上表面，该传导材料接触该第二电极，且该第一电极与该第二电极分别与该第一导电线路及该第二导电线路连接。

4.根据权利要求1所述的晶圆级超声波芯片组件，其特征在于，该超声波元件包括一第一超声波单元及一第二超声波单元，其中该第一超声波单元包含一第一压电层及一第一电极，该第一压电层位于该晶圆基板上，且该第一压电层及该第一保护层具有连通的一第一接触孔，该第一电极被包覆于该第一压电层内，且该第一电极的一部分曝露于该第一接触孔，该第一导电线路的一部分位于该第一接触孔中，与该第一电极连接；该第二超声波单元于垂直该晶圆基板的方向上未与该第一超声波单元重叠，且该第二超声波单元包含一第二压电层、一第二电路图案层及一第二电极，该第二压电层位于该晶圆基板上，该第二压电层与该第一压电层为同层且彼此分离，该第二电路图案层被包覆于该第二压电层内，该第二电路图案层与该第一电极为同层且彼此分离，该第二电极位于该第二压电层上，该第一保护层具有一第二接触孔，该第二接触孔与该开口连通，该第二导电线路的一部分位于该第二接触孔中并与该第二电极连接，该传导材料的一部分填入该第二接触孔中，与该第二电极接触。

5.根据权利要求3或4所述的晶圆级超声波芯片组件，其特征在于，该特用芯片还包含复数个连接垫，该复数个连接垫设置于该特用芯片的该连接面。

6.根据权利要求5所述的晶圆级超声波芯片组件，其特征在于，该穿孔贯穿该复数个连接垫之一，且该导电柱与该连接垫连接。

7.根据权利要求1所述的晶圆级超声波芯片组件，其特征在于，该传导材料为聚二甲基硅氧烷。