[发明专利]一种低损耗大有效面积单模光纤及其制备方法

权利要求书

1.一种低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于，从内到外依次是内芯层、外芯层、内包层、下陷层和外包层，其中：内芯层的半径为r₁＝4～7μm，内芯层的相对折射率为△n₁＝0.25％～0.45％；外芯层的半径为r₂＝5～9μm，外芯层的相对折射率为△n₂＝0.1％～0.3％；内包层的半径为r₃＝9.5～15μm，内包层的相对折射率为△n₃＝-0.02％～0.02％；下陷层的半径为r₄＝12～25μm，下陷层的相对折射率为△n₄＝-0.15％～-0.55％；外包层为纯二氧化硅，外包层半径r₅＝60-65μm。

2.根据权利要求1所述的低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于，所述相对折射率大小为：Δn₁>Δn₂>Δn₃>Δn₄。

3.根据权利要求1或2所述的低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于，所述内芯层和外芯层为加入掺杂剂的二氧化硅玻璃层，所述掺杂剂为GeO₂、P₂O₅-F混合物、B₂O₃中的至少一种，所述掺杂剂为P₂O₅-F混合物时，P的掺杂贡献量Δn_P为0.3％-0.6％。

4.根据权利要求1-3任一项所述的低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于，所述内包层为掺锗和氟的二氧化硅玻璃层，其中Ge的掺杂贡献量Δn_Ge为0.01％-0.05％。

5.根据权利要求1-4任一项所述的低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于，所述下陷层为掺氟的二氧化硅玻璃层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于，所述光纤在1550nm波长处的有效面积为151～162μm²。

7.根据权利要求1-6任一项所述的低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于，所述光纤成缆截止波长等于或小于1316nm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于，所述光纤在1550nm波长处的衰减等于或小于0.15dB/km，所述光纤在1550nm波长处的色散等于或小于17ps/nm*km。

9.根据权利要求1-7任一项所述的低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于，所述光纤在1550nm波长处，R15mm弯曲半径弯曲10圈的宏弯损耗等于或小于0.02dB，R30mm弯曲半径弯曲100圈的宏弯损耗等于或小于0.06dB。

10.一种低损耗大有效面积单模光纤的制备方法，其特征在于，采用MCVD+OVD的制备方法，制备步骤如下：

利用MCVD工艺先在作为下陷层的掺氟石英管内壁沉积内包层，再沉积外芯层和内芯层，获得沉积管；

将沉积管在高温下熔缩成具有内芯层、外芯层、内包层和下陷层实心预制芯棒；

利用OVD工艺在预制芯棒上沉积外包层，并经过烧结，制备出低损耗大有效面积光纤。