[发明专利]阵列基板及具有该阵列基板的显示装置有效
申请号: | 201811531133.6 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN109659320B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 胡俊艳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 具有 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装置,阵列基板具有显示区以及围绕所述显示区的弯折区,阵列基板包括第一基层、第一缓冲层、第二基层;以及开孔的至少一部分位于第二基层上,且对应于弯折区;金属走线金属走线的至少一部分覆于开孔的内表面;有机层填充于开孔中且包覆位于开孔内的金属走线。本发明的阵列基板及具有该阵列基板的显示装置,在弯折区形成开孔,且开孔延伸至第二基层内,并将金属走线形成在开孔的内表面,在开孔内的金属走线上方填充有机光阻,使得中性面在金属走线所在层,降低弯折区的金属走线所承受应力。
技术领域
本发明涉及液晶显示领域,特别涉及一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装置。
背景技术
目前,阵列基板一般包括显示区和弯折区(pad bending),在弯折区中,阵列基板的结构从下到上主要为双层基层、有机层、金属走线、有机光阻、UV胶等;首先,因PI涂布时,因材料本身和外界原因,容易形成一些瑕疵,而这些瑕疵基本都会严重影响产品良率,所以目前的单层的基层一般都设置在10um左右,此厚度的基层可以将一些瑕疵进行包覆和平坦,减小瑕疵对良率的影响。其次,因双层基层结构中间有一层无机膜层阻挡,其隔绝水氧能力更强,且激光剥离时,高能量的激光不容易损伤上面的薄膜晶体管。因此,以上原因会造成目前的双层基层结构非常厚,双层基层的厚度接近20um,而且,双层基层的中间还有一层无机膜层,且因为基层的材料为聚酰亚胺(PI)材料,其杨氏模量较大,一般为10Gpa左右,所以很难通过调整金属走线上方的有机光阻或者UV胶的厚度来对金属走线所受的应力进行调整。因此,在目前的阵列基板中,中性面通常位于基层中,金属走线处于中性面的上方,所以弯折时,金属走线受拉应力。
此外,目前显示面板多向窄边框的方向发展,因此,弯折区的宽度和弯折半径越来越小,由此金属走线所受的应力也是成倍增加,弯折时,金属走线极易发生断裂,弯折后,导致显示区的画面异常;而双层基层中的上层基层和无机膜层之间附着力有限,弯折时极易发生基层和无机膜层之间相互弯折且脱离,严重影响良率。
为改善上述问题,现有技术中也出现很多对基层减薄工艺,如对下层基层进行激光减薄,但因激光减薄工艺有限,基层的平坦度无法很好控制,且激光减薄时容易对上面的金属走线造成一定程度损伤。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供一种具有该阵列基板的显示装置,在弯折区形成开孔,且开孔延伸至第二基层内,并将金属走线形成在开孔的内表面,在开孔内的金属走线上方填充有机光阻,使得中性面在金属走线所在层,降低弯折区的金属走线所承受应力。解决上述问题的技术方案是:提供一种阵列基板,其特征在于,具有显示区以及围绕所述显示区的弯折区,所述阵列基板包括第一基层;第一缓冲层,覆于所述第一基层上;第二基层,覆于所述第一缓冲层上;至少一开孔,所述开孔的至少一部分位于所述第二基层上,且对应于所述弯折区;金属走线,分布于所述显示区和所述弯折区,且所述金属走线的至少一部分覆于所述开孔的内表面;有机层,填充于所述开孔中且包覆位于所述开孔内的所述金属走线。
在本发明一实施例中,所述第一缓冲层中具有第一通孔,所述第一通孔对应所述开孔。
在本发明一实施例中,在所述弯折区,所述金属走线在所述第一缓冲层上的投影,完全落入所述第一通孔的范围内。
在本发明一实施例中,所述的阵列基板还包括第二缓冲层,覆于所述第二基层上;第一栅极绝缘层,覆于所述第二缓冲层上;第二栅极绝缘层,覆于所述第一栅极绝缘层上;介电层,覆于所述第二栅极绝缘层上;所述金属走线形成于所述介电层上以及所述开孔的槽面上;在所述弯折区,所述开孔从所述介电层贯穿至所述第二基层内。
在本发明一实施例中,所述开孔为台阶结构或倒立的塔状结构,其包括若干孔体,所述孔体从所述介电层向所述第二基层叠加设置,其中,位于下方的一个孔体的宽度小于或等于位于上方的并与其相邻的一个孔体的宽度。
在本发明一实施例中,从所述介电层向所述第二基层,所述孔体的宽度依次减小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的