[发明专利]一种存储器在审

专利信息
申请号: 201811531360.9 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN111324283A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 刘凯 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F11/10
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储器
【说明书】:

发明实施例公开了一种存储器,该存储器包括:存储模块,存储模块包括多个数据块,数据块包括计数存储单元,计数存储单元用于记录所属数据块的不稳定次数;控制模块,控制模块用于根据接收的当前读命令读取与当前读命令对应的数据块的数据,在检测到该数据块的读取错误比特位数量大于或等于错误阈值时控制该数据块中的计数存储单元的不稳定次数加1,并在检测到计数存储单元记录的不稳定次数大于或等于次数阈值时控制将该计数存储单元所属数据块的数据搬移至其他空白数据块。本发明实施例中,提前通过条件判断进行数据搬移,确保数据稳定,且数据搬移判断易于实现,不会影响性能,并且该存储器的数据搬移适用于整个闪存生命周期。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术,尤其涉及一种存储器。

背景技术

eMMC(Embedded Multi Media Card,嵌入式多媒体)芯片是主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器。eMMC芯片中集成了一个控制器,该控制器可提供标准接口并管理闪存,如此可使得使用eMMC芯片的手机厂商就能专注于产品开发的其它部分,并缩短向市场推出产品的时间。

eMMC芯片主要由控制器和闪存颗粒组成,通过写操作将数据保存在闪存颗粒中,通过读操作从闪存颗粒中读取数据。目前市场主流的闪存为NAND flash,具有尺寸小,容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,在业界也得到了越来越广泛的应用。

然而,闪存颗粒由于自身特性,在使用过程中,每一个物理块的性能与稳定性会越来越差,常见问题有读干扰,写干扰等等。所以eMMC芯片在设计过程中,都会在物理块中设置纠错模块,但纠错模块本身也会占用物理块的空间,并且不可纠一些错误比特位较多的数据,导致无法给主机提供正确数据。

发明内容

本发明实施例提供一种存储器,以解决闪存数据出错的问题。

本发明实施例提供了一种存储器,该存储器包括:

存储模块,所述存储模块包括多个数据块,所述数据块包括计数存储单元,所述计数存储单元用于记录所属数据块的不稳定次数;

控制模块,所述控制模块用于根据接收的当前读命令读取与所述当前读命令对应的所述数据块的数据,在检测到该数据块的读取错误比特位数量大于或等于错误阈值时控制该数据块中的计数存储单元的不稳定次数加1,并在检测到所述计数存储单元记录的不稳定次数大于或等于次数阈值时控制将该计数存储单元所属数据块的数据搬移至其他空白数据块。

进一步的,所述控制模块还用于在对待搬移所述数据块的数据进行搬移之后清空该数据块的数据和信息。

进一步的,所述控制模块包括纠错单元,所述纠错单元用于对待搬移所述数据块的数据进行纠正,所述控制模块还用于对纠错后的待搬移所述数据块的数据进行搬移。

进一步的,所述控制模块包括纠错单元,所述纠错单元具有第一纠错力度值,所述错误阈值小于或等于所述第一纠错力度值。

进一步的,所述错误阈值大于或等于所述第一纠错力度值的1/2。

进一步的,所述控制模块还用于在检测到与所述当前读命令对应的所述数据块的数据的读取错误比特位数量大于所述第一纠错力度值时,判定该数据块的数据不可纠。

进一步的,所述存储模块为与非闪存NAND Flash。

进一步的,所述存储器为嵌入式多媒体eMMC芯片。

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