[发明专利]一种存储器在审
申请号: | 201811531376.X | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN111324284A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 刘凯 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储器 | ||
本发明实施例公开了一种存储器,该存储器包括:存储模块,存储模块包括多个数据块;控制模块,控制模块包括时间戳链表,控制模块用于在执行第i次擦写操作时,将与第i次擦写操作对应的数据块在时间戳链表中的时间戳更新为i,并在检测到时间戳链表中最小时间戳与最大时间戳的差值大于或等于时间戳阈值时,触发静态损耗均衡。本发明实施例中,控制模块会在执行每次擦写操作时都实时更新时间戳链表,通过时间戳链表可知每个数据块被使用时的时间戳,存储模块中所有数据块使用的先后顺序,以及数据块被放置的相对时间长短;根据时间戳链表中的时间戳判断是否触发静态损耗均衡,无需每次都扫描所有块的擦写次数,提高了静态损耗均衡算法的效率。
技术领域
本发明实施例涉及存储器技术,尤其涉及一种存储器。
背景技术
eMMC(Embedded Multi Media Card,嵌入式多媒体)芯片是主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器。eMMC芯片中集成了一个控制器,该控制器可提供标准接口并管理闪存,如此可使得使用eMMC芯片的手机厂商就能专注于产品开发的其它部分,并缩短向市场推出产品的时间。
eMMC芯片主要由控制器和闪存颗粒组成,通过写操作将数据保存在闪存颗粒中,通过读操作从闪存颗粒中读取数据。目前市场主流的闪存为NAND flash,具有尺寸小,容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,在业界也得到了越来越广泛的应用。NAND flash包括多个物理块。eMMC芯片主要是通过损耗均衡实现每个物理块均衡的被使用,从而最大化eMMC芯片寿命,因此需要静态损耗均衡能及时被触发。
然而,目前常用的一种方法是记录每个块的擦写次数,不过如果只根据擦写次数来触发静态损耗均衡,那么很可能出现一个擦写次数较低的数据块在接下来被多次的作为源数据块执行了数据搬移,影响读写性能。另一种方法是,可以根据数据块中最大和最小的擦写次数来判断的,如果最大擦写次数超过某个阈值,就会将最小擦写次数的数据块的数据搬移出来并释放这个块,接下来因为动态损耗均衡的缘故这个块很快又用于保存主机用户数据,同时擦写次数加一次,然后很可能很快又会触发静态损耗均衡,这样会导致效率低下,而且影响读写性能。
发明内容
本发明实施例提供一种存储器,以解决损耗均衡算法效率低的问题。
本发明实施例提供了一种存储器,包括:
存储模块,所述存储模块包括多个数据块;
控制模块,所述控制模块包括时间戳链表,所述控制模块用于在执行第i次擦写操作时,将与所述第i次擦写操作对应的所述数据块在所述时间戳链表中的时间戳更新为i,并在检测到所述时间戳链表中最小时间戳与最大时间戳的差值大于或等于时间戳阈值时,触发静态损耗均衡,i=1,2,3,…。
进一步的,所述时间戳链表按照时间戳增长的顺序记录所述时间戳及其对应的所述数据块。
进一步的,所述时间戳链表包括第j节点和与所述第j节点对应的第j指针,所述第j节点用于记录一所述时间戳及与该时间戳对应的所述数据块,所述第j指针用于指向第j+1节点,所述第j+1节点中记录的时间戳大于所述第j节点中记录的时间戳,j=1,2,3,…。
进一步的,所述时间戳链表还包括头节点、与所述头节点对应的头指针、尾节点和与所述尾节点对应的尾指针,所述头指针用于指向所述头节点,所述头节点用于连接记录为最小时间戳的一节点,所述尾指针用于指向所述尾节点,所述尾节点用于记录最大时间戳及其对应的所述数据块。
进一步的,所述控制模块还用于在触发静态损耗均衡后,将最小时间戳所对应的数据块的数据搬移至空白数据块并擦除该数据块。
进一步的,所述存储模块为与非闪存NAND Flash。
进一步的,所述存储器为嵌入式多媒体eMMC芯片。
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