[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理方法对基板(W)进行处理。基板处理方法包含：利用磷酸液(Lp)对基板(W)进行处理的步骤、利用淋洗液(Lr)对基板(W)进行处理的步骤及利用含有氨的药液(Lc)对基板(W)进行处理的步骤。在利用淋洗液(Lr)对基板(W)进行处理后，利用药液(Lc)对基板(W)进行处理的步骤从利用磷酸液(Lp)对基板(W)进行了处理时形成在基板(W)上的磷扩散区域(PD)中去除磷扩散区域(PD)的深度方向上的一部分的厚度的膜。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

对基板进行处理的基板处理装置已为人所知。例如，包含半导体膜、绝缘膜及导电构件的半导体基板通过基板处理装置来进行处理。在半导体基板中，经常将氮化膜用作绝缘膜，并对氮化膜进行清洗和/或蚀刻等处理。

例如，记载有利用含有磷酸的蚀刻液对硅制的基板的氮化膜进行处理(例如，参照专利文献1)。在专利文献1的基板处理装置中，将使用完的含有磷酸的蚀刻液与氢氟酸溶液混合，由此使磷酸再生。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2015-135943号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

近年来，为了谋求装置的小型化，而越来越要求基板的进一步的微细加工，被容许从基板上去除的膜的厚度正在变小。磷酸液处理适合于各向异性蚀刻，但若进行磷酸液处理，则有时产生微小的磷污染，基板的特性下降。

本发明是鉴于所述课题而成者，其目的在于提供一种减少从基板上去除的膜的厚度，并且可抑制基板的特性的下降的基板处理装置及基板处理方法。

[解决问题的技术手段]

根据本发明的一实施例，基板处理方法对基板进行处理。所述基板处理方法包括：利用磷酸液对所述基板进行处理的步骤；在利用所述磷酸液对所述基板进行处理后，利用淋洗液对所述基板进行处理的步骤；以及在利用所述淋洗液对所述基板进行处理后，以从利用所述磷酸液对所述基板进行了处理时形成在所述基板上的磷扩散区域中去除所述磷扩散区域的深度方向上的一部分的厚度的膜的方式，利用含有氨的药液对所述基板进行处理的步骤。

在本发明的基板处理方法中，利用所述药液对所述基板进行处理的步骤包括从所述基板的表面上去除厚度未满0.3nm的膜的步骤。

在本发明的基板处理方法中，所述基板处理方法还包括在利用所述淋洗液对所述基板进行处理后，且在利用所述药液对所述基板进行处理前，利用蚀刻液将所述基板的所述磷扩散区域的深度方向上的一部分的厚度的膜去除的步骤。

在本发明的基板处理方法中，利用所述蚀刻液对所述基板进行蚀刻的蚀刻速度比利用所述药液对所述基板进行蚀刻的蚀刻速度大。

在本发明的基板处理方法中，利用所述蚀刻液从所述基板上去除的膜的厚度比利用所述药液从所述基板上去除的膜的厚度大。

在本发明的基板处理方法中，所述蚀刻液的温度比所述药液的温度高。