[发明专利]一种存储器及其控制方法和装置有效
申请号: | 201811531487.0 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN111324549B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 刘凯 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储器 及其 控制 方法 装置 | ||
本发明实施例公开了一种存储器及其控制方法和装置,存储器包括存储装置,存储装置包括多个数据块,数据块包括多个页,该控制方法包括:上电后,查找上次上电时的最后一次写命令所对应的起始逻辑地址,从预留有起始逻辑地址的所有页中查找出最后一次写命令对应的末位写入页;如果检测到末位写入页中预留的数据存储类型为连续数据,判定向末位写入页写入数据时出现掉电。本发明实施例中,查找出写命令对应的末位写入页,再根据末位写入页的数据存储类型判断是否在末位写入页发生掉电,由此控制装置可判定是否发生掉电,还能够确定发生掉电时的写入进度,有效实现了掉电及写入进度的判断。
技术领域
本发明实施例涉及存储器技术,尤其涉及一种存储器及其控制方法和装置。
背景技术
手机或平板电脑等电子产品的内部集成有很多存储器,例如eMMC存储器,该类存储器中集成了一个控制器,该控制器可提供标准接口并管理闪存,如此可使得使用存储器的手机厂商就能专注于产品开发的其它部分,并缩短向市场推出产品的时间。
存储器主要由控制器和闪存颗粒组成,通过写操作将数据保存在闪存颗粒中,通过读操作从闪存颗粒中读取数据。目前市场主流的闪存为与非闪存NAND flash,具有尺寸小,容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,在业界也得到了越来越广泛的应用。
基于NAND flash的存储器,在执行写操作的过程中发生了掉电,会导致对应的字线上的数据不稳定,而现有技术中无法对掉电进行检测且无法确定掉电时的操作进度。
发明内容
本发明实施例提供一种存储器及其控制方法和装置,以解决现有技术中无法对掉电进行检测且无法确定掉电时的操作进度的问题。
本发明实施例提供了一种存储器的控制方法,所述存储器包括存储装置,所述存储装置包括多个数据块,所述数据块包括多个页,该控制方法包括:
上电后,查找上次上电时的最后一次写命令所对应的起始逻辑地址,从预留有所述起始逻辑地址的所有页中查找出所述最后一次写命令对应的末位写入页;
如果检测到所述末位写入页中预留的数据存储类型为连续数据,判定向所述末位写入页写入数据时出现掉电。
进一步地,在查找上次上电时的最后一次写命令所对应的起始逻辑地址之前,还包括:
执行所述最后一次写命令时,根据所述最后一次写命令的操作长度M和页的标准容量P,确定该最后一次写命令对应写入的存储页数量K,K为大于或等于M/P的最小正整数;
向第i存储页中写入数据和数据预留信息,所述数据预留信息至少包括所述最后一次写命令对应的起始逻辑地址和数据存储类型,i≠K时所述第i存储页的数据存储类型为连续数据,i=K时所述第i存储页的数据存储类型为结束数据,i=1,2,3,…,K。
进一步地,所述数据预留信息还包括偏移量(i-1)*P。
进一步地,在从预留有所述起始逻辑地址的所有页中查找出所述最后一次写命令对应的末位写入页之后,还包括:
如果检测到所述末位写入页的数据存储类型为结束数据且数据不可纠,判定向所述末位写入页写入数据时出现掉电。
进一步地,在从预留有所述起始逻辑地址的所有页中查找出所述最后一次写命令对应的末位写入页之后,还包括:
如果检测到所述末位写入页的数据不可纠,将所述末位写入页所属数据块的数据搬移至一空白数据块。
本发明实施例还提供了一种存储器的控制装置,所述存储器包括存储装置,所述存储装置包括多个数据块,所述数据块包括多个页,该控制装置包括:
页查找模块,用于在上电后,查找上次上电时的最后一次写命令所对应的起始逻辑地址,从预留有所述起始逻辑地址的所有页中查找出所述最后一次写命令对应的末位写入页;
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