[发明专利]一种存储器及其控制方法和装置

说明书

本发明实施例公开了一种存储器及其控制方法和装置，所述存储器包括存储装置，所述存储装置包括多个物理块，该控制方法包括：擦除所述物理块，并对所述物理块进行第一写操作；如果读取到所述物理块的错误比特位大于第一错误阈值，将该物理块标记为无效块。本发明实施例，能够有效筛选出虚弱块并标记为无效块，相应的后续写操作过程中，不会给虚弱块中写入数据，则确保了物理块中数据稳定性。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术，尤其涉及一种存储器及其控制方法和装置。

背景技术

手机或平板电脑等产品中通常集成有内嵌式存储器。该类存储器中集成了一个控制器，该控制器可提供标准接口并管理闪存，如此可使得使用内嵌式存储器的手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。

内嵌式存储器主要由控制器和闪存颗粒组成，通过写操作将数据保存在闪存颗粒中，通过读操作从闪存颗粒中读取数据。目前市场主流的闪存为NAND flash，具有尺寸小，容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，在业界也得到了越来越广泛的应用。

基于NAND flash的存储器芯片中，在安装固件时，首先会找出所有的出厂坏块，将其标为坏块，加入坏块表，不再使用。但是剩下的物理块中，由于工艺的影响，每个物理块的质量不同，寿命不同，有的一开始就比较虚弱，使用过程中，可能很快出现数据出错，并且出错的比特位数超过控制器可纠范围。

发明内容

本发明实施例提供一种存储器及其控制方法和装置，以解决现有技术中虚弱块数据容易出错的问题。

本发明实施例提供了一种存储器的控制方法，所述存储器包括存储装置，所述存储装置包括多个物理块，该控制方法包括：

擦除所述物理块，并对所述物理块进行第一写操作；

如果读取到所述物理块的错误比特位大于第一错误阈值，将该物理块标记为无效块。

进一步的，所述第一错误阈值小于或等于所述存储器的预设纠错力度值。

进一步的，所述第一写操作为随机乱数写操作。

进一步的，该控制方法还包括：

接收到写命令时，检测所述写命令分配的所述物理块是否是无效块，若否则向该物理块写入所述写命令对应的数据。

进一步的，所述对所述物理块进行第一写操作之后，还包括：在第一温度环境中对所述物理块进行读操作，所述第一温度环境大于或等于40℃，或者，所述第一温度环境小于或等于-10℃。

本发明实施例还提供了一种存储器的控制装置，所述存储器包括存储装置，所述存储装置包括多个物理块，该控制装置包括：

擦写模块，用于擦除所述物理块，并对所述物理块进行第一写操作；

标记模块，用于如果读取到所述物理块的错误比特位大于第一错误阈值，将该物理块标记为无效块。

进一步的，所述第一错误阈值小于或等于所述存储器的预设纠错力度值。

进一步的，所述第一写操作为随机乱数写操作。

进一步的，该控制装置还包括：检测模块，所述检测模块用于在接收到写命令时，检测所述写命令分配的所述物理块是否是无效块，若否则向该物理块写入所述写命令对应的数据。

进一步的，该控制装置还包括：读取模块，所述读取模块用于对所述物理块进行第一写操作之后，在第一温度环境中对所述物理块进行读操作，所述第一温度环境大于或等于40℃，或者，所述第一温度环境小于或等于-10℃。

本发明实施例还提供一种存储器，所述存储器包括存储装置和如上所述的控制装置，所述控制装置与所述存储装置电连接。