[发明专利]平面式场效应晶体管

权利要求书

1.一种平面式场效应晶体管（100），所述平面式场效应晶体管具有：

在半导体主体（112）的第一表面（106）上在沟道区域（104）和漏极连接端（D）之间的漏极扩展区域（102）；

第一电极部分（108）和第二电极部分（110），所述第一电极部分和所述第二电极部分横向相互间隔开，其中，所述第一电极部分（108）作为栅电极布置在所述沟道区域（104）之上，并且所述第二电极部分（110）布置在所述漏极扩展区域（102）之上并且与所述第一电极部分（108）电分离。

2.根据权利要求1所述的平面式场效应晶体管（100），其中，所述第二电极部分（110）与源极连接端（S）电连接。

3.根据以上权利要求中任一项所述的平面式场效应晶体管（100），其中，所述平面式场效应晶体管（100）是横向的功率半导体器件，其中，体区域（120）和源极区域（118）电短接。

4.根据以上权利要求中任一项所述的平面式场效应晶体管（100），其中，所述漏极扩展区域（102）适合用于阻断在5V至200V范围内的漏极到源极电压。

5.根据以上权利要求中任一项所述的平面式场效应晶体管（100），其中，所述第一电极部分（108）和所述第二电极部分（110）是经结构化的电极层的不同部分。

6.根据以上权利要求中任一项所述的平面式场效应晶体管（100），所述平面式场效应晶体管此外具有：深的体区域（1203），所述深的体区域与所述源极连接端（S）电连接并且在所述漏极扩展区域（102）之下横向延伸，其中，所述深的体区域（1203）在第一横向方向（x1）上的延伸与所述漏极扩展区域（102）在所述第一横向方向（x1）上的延伸至少部分地重叠。

7.根据权利要求6所述的平面式场效应晶体管（100），其中，所述深的体区域（1203）在所述第一横向方向（x1）上的延伸与所述第二电极部分（110）在所述第一横向方向（x1）上的延伸至少部分地重叠。

8.根据权利要求6或7所述的平面式场效应晶体管（100），其中，所述深的体区域（1203）具有横向相邻的第一和第二部分体区域（1205，1206），并且，掺杂物剂量在横向更靠近所述漏极连接端（D）的第一部分体区域（1205）中比在所述第二部分体区域（1206）中更小。

9.根据以上权利要求中任一项所述的平面式场效应晶体管（100），所述平面式场效应晶体管此外具有：

在所述第一电极部分（108）和所述沟道区域（104）之间的栅极电介质（1141）；以及

在所述第一电极部分（108）和所述漏极扩展区域（102）之间的另外的电介质（1042），其中，所述另外的电介质的厚度比所述栅极电介质（1041）的厚度更大，并且所述栅极电介质（1041）在所述漏极连接端（D）的方向上邻接所述另外的电介质。

10.根据权利要求9所述的平面式场效应晶体管（100），其中，所述另外的电介质具有STI电介质（1143）、浅沟槽绝缘电介质。

11.根据权利要求10所述的平面式场效应晶体管（100），其中，所述另外的电介质（1142）在所述STI电介质（1143）和所述栅极电介质（1141）之间此外具有平面式电介质（1147），所述平面式电介质比所述栅极电介质（1141）更厚并且在所述第一表面（106）上邻接所述漏极扩展区域（102）的一部分的上侧。

12.根据权利要求9所述的平面式场效应晶体管（100），其中，所述栅极电介质（1141）的一部分在所述第一表面（106）上邻接所述漏极扩展区域（102）的一部分的上侧。