[发明专利]一种快速沉淀制备一维BaMoO4 有效
申请号: | 201811532188.9 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN109336179B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 侴术雷;赖伟鸿;王云晓;李用成;李东祥;李亚书;李斌 | 申请(专利权)人: | 辽宁星空钠电电池有限公司 |
主分类号: | C01G39/00 | 分类号: | C01G39/00;B82Y30/00 |
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地址: | 114000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 快速 沉淀 制备 bamoo base sub | ||
本发明涉及纳米材料制备技术领域,且公开了一种快速沉淀制备一维BaMoO4的方法,包括以下步骤:1)将0.015M Ba(NO3)2和0.015M(NH4)6Mo7O24·4H2O分别溶解在15mL水中并在300rpm下搅拌;2)将上述两种溶液混合后搅拌直至析出大量可见白色沉淀,以备用;3)用水和乙醇将白色沉淀产物洗涤数次,在放置至真空烘箱中60℃烘干,即得高纯度一维纳米材料BaMoO4。该快速沉淀制备一维BaMoO4的方法,利用叔钼酸铵((NH4)6Mo7O24·4H2O)为沉淀剂快速沉淀出目标材料;(NH4)6Mo7O24·4H2O具有低解离系数,可以缓慢的释放出MoO4‑离子,平衡材料的生长速度和扩散速度,使得材料在生长过程中可以定向的按照一维方向生长。
技术领域
本发明涉及纳米材料制备技术领域,具体为一种快速沉淀制备一维 BaMoO4的方法。
背景技术
BaMoO4属于金属钼酸盐,因其特殊的晶体结构以及其衍生氧化物使这种物质在光学等领域具有广泛的潜在应用。快速大量制备此电极材料制备及离子导体材料合成领域具有广泛用途。尤其是,其特殊的一维结构具有定向的电子离子传导方向,强大的应力承受能力以及短的轴向离子传输路径,被认为是十分重要纳米材料分支。
经文献查阅汇总,现有制备一维BaMoO4纳米材料的方法主要是利用溶胶 -凝胶法(P.Jena,N.Nallamuthu,K.H.Prasad,M.Venkateswarlu,N. Satyanarayana,Journal ofsol-gel science and technology 2014,72,480-489.P. Jena,N.Nallamuthua,P.Patro,M.Venkateswarlu,N.Satyanarayana,Advances in Applied Ceramics 2014,113,372-379)或者反胶束法(Z.Li,J.Du,J.Zhang,T. Mu,Y.Gao,B.Han,J.Chen,J.Chen,MaterialsLeters 2005,59,64-68.H.Shi, L.Qi,J.Ma,N.Wu,Advanced Functional Materials2005,15,442-450)。但上述方法耗时长,成本高,需在高温高压下进行,并且反应需要大量辅助表面活性剂的添加,难以大规模生产。
因此,发明一种可以简单、快速制备一维BaMoO4纳米材料的方法将在未来的工业化,以及大量应用生产尤为重要。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种快速沉淀制备一维BaMoO4的方法,具备利用叔钼酸铵((NH4)6Mo7O24·4H2O)为沉淀剂快速沉淀出目标材料等优点,解决了现有制备一维BaMoO4纳米材料的方法主要是利用溶胶-凝胶法或者反胶束法。但上述方法耗时长,成本高,需在高温高压下进行,并且反应需要大量辅助表面活性剂的添加,难以大规模生产的问题。
(二)技术方案
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