[发明专利]斜坡信号发生装置和包括其的CMOS图像传感器

权利要求书

1.一种斜坡信号发生装置，该斜坡信号发生装置包括：

采样电路，该采样电路适于对在多条斜坡电流路径上流动的斜坡电流进行采样，并且存储与已采样的所述斜坡电流对应的电压；

电流保持电路，该电流保持电路适于保持所述斜坡电流；

电流保持/传送电路，该电流保持/传送电路适于保持并传送与由所述采样电路存储的所述电压对应的电流；

选择电路，该选择电路适于选择所述采样电路和所述电流保持/传送电路的斜坡电流路径；以及

电流-电压转换器，该电流-电压转换器适于转换从所述电流保持/传送电路传送的电流并且通过该电流产生斜坡电压。

2.根据权利要求1所述的斜坡信号发生装置，该斜坡信号发生装置还包括：

输出电路，该输出电路适于稳定并输出所述斜坡电压。

3.根据权利要求2所述的斜坡信号发生装置，其中，所述输出电路包括：

开关，该开关联结在所述电流-电压转换器和输出节点之间；以及

电容器，该电容器联结在所述输出节点和接地电压端子之间。

4.根据权利要求1所述的斜坡信号发生装置，其中，所述采样电路包括：

多个采样元件，所述多个采样元件中的每一个被配置为对在所述多条斜坡电流路径中的对应的斜坡电流路径上流动的所述斜坡电流进行采样，并且存储与已采样的所述斜坡电流对应的电压。

5.根据权利要求4所述的斜坡信号发生装置，其中，所述多个采样元件中的每一个包括：

第一PMOS晶体管，该第一PMOS晶体管具有与电源电压端子联结的源极端子，并且具有二极管连接结构，使得栅极端子和漏极端子彼此联结；

电容器，该电容器具有与所述电源电压端子联结的第一端子和与所述第一PMOS晶体管的栅极端子联结的第二端子，并且适于对在所述对应的斜坡电流路径上流动的所述斜坡电流进行采样，并存储与已采样的所述斜坡电流对应的电压；以及

开关，该开关联结在所述第一PMOS晶体管的漏极端子和所述电流保持电路之间，并且适于接通或断开所述对应的斜坡电流路径。

6.根据权利要求5所述的斜坡信号发生装置，其中，所述电流保持/传送电路包括：

至少一个电流保持/传送元件，该至少一个电流保持/传送元件适于保持与存储在所述采样电路的对应采样块中的电压对应的电流；以及

电流传送元件，该电流传送元件适于传送与存储在所述采样电路的所述对应采样块中的电压对应的电流。

7.根据权利要求6所述的斜坡信号发生装置，其中，所述至少一个电流保持/传送元件包括：

第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管具有与所述电源电压端子联结的源极端子、与所述采样电路的所述第一PMOS晶体管的栅极端子联结的栅极端子和与所述电流-电压转换器联结的漏极端子。

8.根据权利要求6所述的斜坡信号发生装置，其中，所述电流传送元件包括：

第三PMOS晶体管，该第三PMOS晶体管具有与所述电源电压端子联结的源极端子、与所述选择电路和所述采样电路的所述第一PMOS晶体管的栅极端子联结的栅极端子和与所述电流-电压转换器联结的漏极端子。

9.根据权利要求8所述的斜坡信号发生装置，其中，所述选择电路包括：

多个开关，所述多个开关中的每一个具有与所述电源电压端子联结的第一端子以及联结在所述采样电路的所述第一PMOS晶体管的栅极端子和所述电流传送电路的所述第三PMOS晶体管的栅极端子之间的第二端子，并且适于接通所述对应的斜坡电流路径，使得所述斜坡电流流过所述多条斜坡电流路径。