[发明专利]一种存储器在审

专利信息
申请号: 201811532500.4 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN111324288A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 刘凯 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储器
【说明书】:

发明实施例公开了一种存储器,该存储器包括:存储模块,存储模块包括多个数据块;控制模块,控制模块包括第一指针和第二指针,控制模块用于在执行第i次擦写操作时将与第i次擦写操作对应的数据块的时间戳更新为i,并在检测到第一指针指向的时间戳最小的数据块与第二指针指向的时间戳最大的数据块的时间戳差值大于或等于时间戳阈值时,触发静态损耗均衡。本发明实施例中,在任意时刻均可以通过第一指针和第二指针获取最大时间戳和最小时间戳及其时间戳差值,快速触发静态损耗均衡,无需每次都扫描所有块的擦写次数以获取最小时间戳和最大时间戳,无需扫描所有块擦写次数,相应的也无需花费时间进行扫描过程。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术,尤其涉及一种存储器。

背景技术

eMMC(Embedded Multi Media Card,嵌入式多媒体)芯片是主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器。eMMC芯片中集成了一个控制器,该控制器可提供标准接口并管理闪存,如此可使得使用eMMC芯片的手机厂商就能专注于产品开发的其它部分,并缩短向市场推出产品的时间。

eMMC芯片主要由控制器和闪存颗粒组成,通过写操作将数据保存在闪存颗粒中,通过读操作从闪存颗粒中读取数据。目前市场主流的闪存为NAND flash,具有尺寸小,容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,在业界也得到了越来越广泛的应用。NAND flash包括多个物理块。eMMC芯片主要是通过损耗均衡实现每个物理块均衡的被使用,从而最大化eMMC芯片寿命。

然而,目前常通过数组记录每个物理块的擦写次数,然后每次扫描比较每个物理块的擦写次数,如果超过差值阈值则触发静态损耗均衡,显然该扫描过程需要的时间较长,无法快速触发静态损耗均衡。

发明内容

本发明实施例提供一种存储器,以实现快速触发静态损耗均衡的效果。

本发明实施例提供了一种存储器包括:

存储模块,所述存储模块包括多个数据块;

控制模块,所述控制模块包括第一指针和第二指针,所述控制模块用于在执行第i次擦写操作时将与所述第i次擦写操作对应的所述数据块的时间戳更新为i,并在检测到所述第一指针指向的时间戳最小的数据块与所述第二指针指向的时间戳最大的数据块的时间戳差值大于或等于时间戳阈值时,触发静态损耗均衡,i=1,2,3,…。

进一步的,所述控制模块还用于在触发静态损耗均衡后,将所述第一指针指向的数据块的数据搬移至空白数据块。

进一步的,所述控制模块还用于擦除所述第一指针指向的数据块。

进一步的,所述控制模块还用于实时检测每个所述数据块的时间戳,并根据所述数据块的时间戳信息更新所述第一指针的指向以及所述第二指针的指向。

进一步的,所述存储模块为与非闪存NAND Flash。

进一步的,所述存储器为嵌入式多媒体eMMC芯片。

本发明实施例提供的存储器,控制模块控制第一指针指向时间戳最小的数据块,以及控制第二指针指向时间戳最大的数据块,在执行第i次擦写操作时,将与第i次擦写操作对应的数据块的时间戳更新为i,并在检测到第一指针指向的时间戳最小的数据块与第二指针指向的时间戳最大的数据块的时间戳差值大于或等于时间戳阈值时,触发静态损耗均衡。本发明实施例中,控制模块会在执行每次擦写操作时都实时更新第一指针和第二指针的指向,以使在任意时刻第一指针均指向当前时刻下时间戳最小数据块,第二指针均指向当前时刻下时间戳最大数据块,与现有技术相比,本发明实施例在任意时刻均可以通过第一指针和第二指针获取最大时间戳和最小时间戳及其时间戳差值,快速触发静态损耗均衡,无需每次都扫描所有块的擦写次数以获取最小时间戳和最大时间戳,无需扫描所有块擦写次数,相应的也无需花费时间进行扫描过程。

附图说明

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