[发明专利]一种基于费米狄拉克材料的可调二频段THz吸收器

权利要求书

1.一种基于费米狄拉克材料的可调二频段THz吸收器，其特征在于，包括吸收层（1）、反射层（2）上下层叠紧密贴合组成的晶格单元，所述吸收层（1）为光子晶体，所述反射层（2）为狄拉克材料；

所述吸收层（1）为圆环柱体结构，其中圆环柱体结构中心处的中空通道一直连通到反射层（2）的顶面，所述反射层（2）为矩形体结构，其中吸收层（1）的内圆的投影全部落入反射层顶面内，吸收层（1）的外圆的投影全部落入反射层顶面内;

光子晶体的折射率为n = 3至4，介电常数为ε=9至16。

2.根据权利要求1所述的一种基于费米狄拉克材料的可调二频段THz吸收器，其特征在于，圆环柱体结构的高度为30μm～40μm、圆环柱体结构的外圆半径为R1=35μm~40μm、圆环柱体结构的内圆半径为R2=15μm~20μm。

3.根据权利要求1所述的一种基于费米狄拉克材料的可调二频段THz吸收器，其特征在于，反射层（2）的长为80μm~90μm、反射层（2）的宽为80μm~90μm、反射层（2）的高为20μm~30μm。

4.根据权利要求1所述的一种基于费米狄拉克材料的可调二频段THz吸收器，其特征在于，晶格单元的长为80μm~90μm、晶格单元的宽为80μm~90μm、晶格单元的高为50μm~70μm。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种基于费米狄拉克材料的可调二频段THz吸收器，其特征在于，反射层（2）接收外部激励，以实现吸收频率为可调状态和反射层（2）的费米能级为可调状态。