[发明专利]一种波导集成型光电探测器及其制作方法有效
申请号: | 201811533861.0 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN111326533B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 汪巍;方青;余明斌 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/105;H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 波导 集成 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
1.一种波导集成型光电探测器,其特征在于,包括:
光电探测器,具有第一端口及第二端口;
光循环结构,包括n个模式转换反向器,其中,n≥2,且至少有一个所述模式转换反向器连接于所述第一端口,至少有一个所述模式转换反向器连接于所述第二端口,所述模式转换反向器用于实现TEi-TEi+1模式光之间的转换及光的反向,使光再次通过所述光电探测器,其中,0≤i<n,且i为整数;
所述光循环结构还包括TEn-TEk非对称定向耦合器及环形反向器,其中,k≥0,且k为整数,所述TEn-TEk非对称定向耦合器用于将来自所述第二端口的TEn模式光转换为TEk模式光,所述环形反向器连接于所述TEn-TEk非对称定向耦合器,用于将来自所述TEn-TEk非对称定向耦合器的TEk模式光反向,并再次输入至所述TEn-TEk非对称定向耦合器,所述TEn-TEk非对称定向耦合器还用于将来自所述环形反向器的TEk模式光再次转换为TEn模式光,并经所述第二端口再次输入所述光电探测器,进而再次通过n个模式转换反向器,再次实现光的n次循环。
2.根据权利要求1所述的波导集成型光电探测器,其特征在于:当i=0时,所述模式转换反向器构成TE0-TE1模式转换反向器,所述TE0-TE1模式转换反向器包括反向器及与所述反向器相连的TE0-TE1非对称定向耦合器,所述反向器用于将来自所述第二端口的TE0模式光反向,并输入所述TE0-TE1非对称定向耦合器,所述TE0-TE1非对称定向耦合器用于将反向后的TE0模式光转换为TE1模式光,并经所述第二端口再次输入所述光电探测器。
3.根据权利要求1所述的波导集成型光电探测器,其特征在于:当i≠0时,所述模式转换反向器包括TEi-TEj非对称定向耦合器、反向器及TEj-TEi+1非对称定向耦合器,所述反向器连接于所述TEi-TEj非对称定向耦合器与所述TEj-TEi+1非对称定向耦合器之间,其中,j≥0,且j为整数,所述TEi-TEj非对称定向耦合器用于实现TEi-TEj模式光之间的转换,所述TEj-TEi+1非对称定向耦合器用于实现TEj-TEi+1模式光之间的转换,所述反向器用于实现所述TEi-TEj非对称定向耦合器与所述TEj-TEi+1非对称定向耦合器之间光的反向。
4.根据权利要求1所述的波导集成型光电探测器,其特征在于:相邻所述模式转换反向器之间通过波导连接。
5.根据权利要求1所述的波导集成型光电探测器,其特征在于:所述光电探测器包括波导型光电探测器。
6.根据权利要求1所述的波导集成型光电探测器,其特征在于:所述光电探测器包括硅上针型锗探测器、基于GeSn材料的光电探测器及基于离子注入Si材料的光电探测器中的任意一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新微技术研发中心有限公司,未经上海新微技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811533861.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的