[发明专利]一种波导集成型光电探测器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201811533861.0 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN111326533B 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 汪巍;方青;余明斌 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L31/105;H01L31/18
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 刘星
地址: 201800 上海市嘉定区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 波导 集成 光电 探测器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种波导集成型光电探测器,其特征在于,包括:

光电探测器,具有第一端口及第二端口;

光循环结构,包括n个模式转换反向器,其中,n≥2,且至少有一个所述模式转换反向器连接于所述第一端口,至少有一个所述模式转换反向器连接于所述第二端口,所述模式转换反向器用于实现TEi-TEi+1模式光之间的转换及光的反向,使光再次通过所述光电探测器,其中,0≤i<n,且i为整数;

所述光循环结构还包括TEn-TEk非对称定向耦合器及环形反向器,其中,k≥0,且k为整数,所述TEn-TEk非对称定向耦合器用于将来自所述第二端口的TEn模式光转换为TEk模式光,所述环形反向器连接于所述TEn-TEk非对称定向耦合器,用于将来自所述TEn-TEk非对称定向耦合器的TEk模式光反向,并再次输入至所述TEn-TEk非对称定向耦合器,所述TEn-TEk非对称定向耦合器还用于将来自所述环形反向器的TEk模式光再次转换为TEn模式光,并经所述第二端口再次输入所述光电探测器,进而再次通过n个模式转换反向器,再次实现光的n次循环。

2.根据权利要求1所述的波导集成型光电探测器,其特征在于:当i=0时,所述模式转换反向器构成TE0-TE1模式转换反向器,所述TE0-TE1模式转换反向器包括反向器及与所述反向器相连的TE0-TE1非对称定向耦合器,所述反向器用于将来自所述第二端口的TE0模式光反向,并输入所述TE0-TE1非对称定向耦合器,所述TE0-TE1非对称定向耦合器用于将反向后的TE0模式光转换为TE1模式光,并经所述第二端口再次输入所述光电探测器。

3.根据权利要求1所述的波导集成型光电探测器,其特征在于:当i≠0时,所述模式转换反向器包括TEi-TEj非对称定向耦合器、反向器及TEj-TEi+1非对称定向耦合器,所述反向器连接于所述TEi-TEj非对称定向耦合器与所述TEj-TEi+1非对称定向耦合器之间,其中,j≥0,且j为整数,所述TEi-TEj非对称定向耦合器用于实现TEi-TEj模式光之间的转换,所述TEj-TEi+1非对称定向耦合器用于实现TEj-TEi+1模式光之间的转换,所述反向器用于实现所述TEi-TEj非对称定向耦合器与所述TEj-TEi+1非对称定向耦合器之间光的反向。

4.根据权利要求1所述的波导集成型光电探测器,其特征在于:相邻所述模式转换反向器之间通过波导连接。

5.根据权利要求1所述的波导集成型光电探测器,其特征在于:所述光电探测器包括波导型光电探测器。

6.根据权利要求1所述的波导集成型光电探测器,其特征在于:所述光电探测器包括硅上针型锗探测器、基于GeSn材料的光电探测器及基于离子注入Si材料的光电探测器中的任意一种。

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