[发明专利]一种平衡晶圆间热预算的方法有效
申请号: | 201811534300.2 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN109686682B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 李春龙;霍宗亮;叶甜春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 平衡 晶圆间热 预算 方法 | ||
1.一种平衡晶圆间热预算的方法,应用于对晶圆进行第一次管炉工艺至第N次管炉工艺的过程,N为不小于2的整数,其特征在于,包括:
提供多批晶圆,所述多批晶圆定义为第一批晶圆至第M批晶圆,M为正整数;
控制所述多批晶圆依次执行所述第一次管炉工艺至所述第N次管炉工艺,其中,所述第一次管炉工艺至所述第N次管炉工艺划分为第一组和第二组,且所述第一组和所述第二组的管炉工艺数量差值不大于1,在执行第一组中任意一次管炉工艺的过程中,控制所述多批晶圆按照所述第一批晶圆至所述第M批晶圆的排列顺序依次进入相应反应炉,及控制所述多批晶圆按照所述第M批晶圆至所述第一批晶圆的排列顺序依次离开相应反应炉;以及,在执行第二组中任意一次管炉工艺的过程中,控制所述多批晶圆按照所述第M批晶圆至所述第一批晶圆的排列顺序依次进入相应反应炉,及控制所述多批晶圆按照所述第一批晶圆至所述第M批晶圆的排列顺序依次离开相应反应炉。
2.根据权利要求1所述的平衡晶圆间热预算的方法,其特征在于,所述第一次管炉工艺至所述第N次管炉工艺划分为第一组和第二组,包括:
按照奇偶顺序将所述第一次管炉工艺至所述第N次管炉工艺划分为第一组和第二组;
其中,所述第一组包括奇数次管炉工艺,且所述第二组包括偶数次管炉工艺;或者,
所述第一组包括偶数次管炉工艺,且所述第二组包括奇数次管炉工艺。
3.根据权利要求1所述的平衡晶圆间热预算的方法,其特征在于,所述第一次管炉工艺至所述第N次管炉工艺划分为第一组和第二组,包括:
按照前后顺序将所述第一次管炉工艺至所述第N次管炉工艺划分为第一组和第二组;
其中,所述第一组包括所述第一次管炉工艺至第i次管炉工艺,所述第二组包括第i+1次管炉工艺至所述第N次管炉工艺,N为偶数时i为N/2,及N为奇数时i为(N+1)/2或(N-1)/2;或者,
所述第二组包括所述第一次管炉工艺至第i次管炉工艺,所述第一组包括第i+1次管炉工艺至所述第N次管炉工艺。
4.根据权利要求1所述的平衡晶圆间热预算的方法,其特征在于,控制所述多批晶圆按照所述第一批晶圆至所述第M批晶圆的排列顺序依次进入相应反应炉的持续时间范围,与控制所述多批晶圆按照所述第M批晶圆至所述第一批晶圆的排列顺序依次进入相应反应炉的持续时间范围相同。
5.根据权利要求1所述的平衡晶圆间热预算的方法,其特征在于,控制所述多批晶圆按照所述第M批晶圆至所述第一批晶圆的排列顺序依次离开相应反应炉的持续时间范围,与控制所述多批晶圆按照所述第一批晶圆至所述第M批晶圆的排列顺序依次离开相应反应炉的持续时间范围相同。
6.根据权利要求1所述的平衡晶圆间热预算的方法,其特征在于,任意一反应炉为立式反应炉,且所述立式反应炉的进口和出口为同一开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造