[发明专利]一种Ga元素掺杂In2有效

专利信息
申请号: 201811534550.6 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN109503147B 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 冯晶;黄璐璐;葛振华;蒋业华;郭俊;师晓莉 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/622
代理公司: 昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业) 53116 代理人: 谢乔良;张玉
地址: 650500 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 ga 元素 掺杂 in base sub
【说明书】:

发明公开了一种结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料及其制备方法与应用。所述的结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料是以In2O3、ZnO和Ga2O3为原料制备得到,所述的所述的结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料为超晶格结构,在973K高温下:热导率为1.40~1.65 Wm‑1K‑1,ZT值在0.15~0.25;且在温度700℃下均不发生相变。本发明提供Ga元素掺杂提高In2O3(ZnO)3热电优值的方法,可用于In2O3(ZnO)3掺杂样品的制备以及性能的提高,工艺简单,可重复性高。该方法通过掺杂量来控制In2O3(ZnO)3的成相度、致密度、微结构;所制得的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3氧化物结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低以及热电性能高等特性。

技术领域

本发明属于材料技术领域,具体涉及一种结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料及其制备方法与应用。

背景技术

随着工业水平的不断进步,特别是新兴发展中国家的崛起,全球的能源需求量日益增大,但是也带来了严重的环境问题。基于此,环境友好的可再生能源研究成为人们关注的重点。热电材料是一种能够实现各种热量无污染地产生电能,如太阳能、工业废热、CPU耗散及人体温差等,即只要存在温差,就可以输出能量,这对资源的有效利用会产生深远的影响。热电材料的能量转换通常利用无量纲优值ZT来衡量。高性能的热电材料要求大的seebeck系数、高的电导率以及低的热导率。热电材料是一种功能材料,利用固体内部载流子运动可以直接实现热能和电能的相互转换,在温差发电和制冷方面具有广泛的应用前景。全球性环境恶化和能源危机日益威胁人类的生活,因此寻找绿色环保的新型能源非常迫切,热电材料是新能源材料的热点之一。热电发电制冷装置具有工作无噪音、结构紧凑、无污染、可靠性高、寿命长等优点,其应用范围涉及到民用、军用和航空航天等许多领域。氧化物热电材料具有原料低成本、无污染、高温稳定等有点,是热电材料领域较新的研究方向。决定材料热电转换效率的关键参数“无量纲热电优值”ZT=(S2σ/ κ)T:其中:S为塞贝克系数、σ为电导率、κ为热导率,T为温度。一种性能优良的热电材料应该满足高电动势、高电导率和低热导率的要求。

目前,技术上较为成熟、性能较好的热电材料多为金属半导体合金,虽然其热电转换相率相对较高,但在高温下不稳定和容易氧化,且多数原料价格昂贵,并含有对人体有害的重金属。相比之下,氧化物热电材料具有优良的热稳定性、化学稳定性、高温抗氧化稳定性且安全无毒,但由于电导率较低和电输运性能较差,热导率高,导致无量纲热电优值ZT不高,限制了他的应用。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料;第二目的在于提供所述的结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料的制备方法;第三目的在于提供结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料的应用。

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