[发明专利]场效应晶体管及制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：

依次层叠设置的SiC衬底、SiC外延层以及栅氧结构，

其中，所述栅氧结构包括依次层叠设置的过渡层、阻挡层以及氧化层，所述过渡层设置在所述SiC外延层远离所述SiC衬底的一侧，构成所述过渡层以及所述氧化层的材料均为SiO₂，所述过渡层的厚度小于所述氧化层的厚度。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述过渡层的厚度为5-10nm。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，构成所述阻挡层的材料包括氮化硅以及氮氧化硅的至少之一。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述阻挡层的厚度为5-10nm。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述SiC衬底以及所述SiC外延层具有相同的掺杂类型，所述SiC衬底的掺杂浓度为1×10¹⁸-1×10¹⁹cm^-3，所述SiC外延层的掺杂浓度为1×10¹⁵-8×10¹⁶cm^-3。

6.一种制备场效应晶体管的方法，其特征在于，包括：

提供SiC衬底；

在所述SiC衬底上形成SiC外延层；

在所述SiC外延层远离所述SiC衬底的一侧形成栅氧结构，

其中，形成所述栅氧结构包括：

对所述SiC外延层远离所述SiC衬底的一侧进行第一热氧化处理形成过渡层；

在所述过渡层远离所述SiC外延层的一侧形成阻挡层；

在所述阻挡层远离所述过渡层的一侧形成氧化层，

其中，构成所述过渡层以及所述氧化层的材料均为SiO₂，所述过渡层的厚度小于所述氧化层的厚度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述过渡层的厚度为5-10nm。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一热氧化处理的温度为800-900℃，所述第一热氧化处理的时间为0.5-1h。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，构成所述阻挡层的材料包括氮化硅以及氮氧化硅的至少之一，所述阻挡层的厚度为5-10nm。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述氧化层是通过以下步骤实现的：

(1)在所述阻挡层远离所述过渡层的一侧沉积一层Si层；

(2)对所述Si层进行第二热氧化处理，以形成SiO₂层；

(3)依次重复上述步骤(1)和(2)，以形成多个所述SiO₂层，多个所述SiO₂层构成所述氧化层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，每个所述Si层的厚度为5-50nm。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，每个所述Si层的厚度为1-5nm。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，所述第二热氧化处理的温度为800-900℃，所述第二热氧化处理的时间为0.5-1h。

14.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：

对所述栅氧结构进行退火处理，所述退火处理的温度为1050-1150℃，所述退火处理的时间为2-4h。

15.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的场效应晶体管。

16.根据权利要求15所述的电子设备，其特征在于，包括逆变器、充电桩以及电控装置。