[发明专利]一种复合阵列电极及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201811536249.9 申请日: 2018-12-15
公开(公告)号: CN109700453B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 曾齐;吴天准 申请(专利权)人: 深圳市中科先见医疗科技有限公司
主分类号: A61B5/25 分类号: A61B5/25;A61N1/05;C25D3/50;C25D5/02;C25D7/00;C25D15/00;G01N27/30
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 复合 阵列 电极 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种复合阵列电极,其特征在于,包括微电极阵列基体,以及形成在所述微电极阵列基体的微电极表面的修饰层,所述修饰层包括多个阵列间隔设置在所述微电极表面的导电层,任意相邻两个所述导电层的间隔相等;所述微电极表面上,所述导电层以外的区域设置绝缘层,所述导电层的材质包括纳米铂、纳米铱和碳纳米管中的一种或多种;所述导电层的边缘与所述导电层中间区域的厚度的绝对值小于0.1μm;所述导电层是由电沉积法制备得到,所述电沉积包括恒电位沉积或恒电流沉积中的任意一种,所述恒电位沉积的电位为-0.5V~-0.75V;所述恒电流沉积的电流为-0.25μA~-5μA;所述电沉积法的沉积时间为20~60min。

2.如权利要求1所述的复合阵列电极,其特征在于,每个所述导电层的横向尺寸为6~60μm。

3.如权利要求1所述的复合阵列电极,其特征在于,所述微电极表面上,多个所述导电层的总面积占比为50~80%。

4.如权利要求1所述的复合阵列电极,其特征在于,所述导电层的厚度为0.02~10μm。

5.一种复合阵列电极的制备方法,其特征在于,包括:

提供微电极阵列基体,所述微电极阵列基体的微电极表面设有一层绝缘层;刻蚀所述绝缘层,使所述绝缘层上形成多个阵列间隔设置的贯穿所述绝缘层的沉积孔;任意相邻两个所述沉积孔的间隔相等;

对刻蚀后的所述微电极阵列基体进行表面预处理,所述表面预处理包括:将所述刻蚀处理后的所述微电极阵列基体先置于丙酮或乙醇溶液中超声清洗20~60min,再经去离子水洗净后置于硫酸溶液中进行电化学循环伏安扫描处理至CV曲线完全重合,然后用去离子水洗净待用,扫描电压为-0.25V~1.2V,扫描速率为50~200mV/s,扫描时间为25~60min;

配置铂盐溶液,将经表面预处理后的所述微电极阵列基体置于所述铂盐溶液中进行电沉积,使沉积孔内沉积导电材料以在所述微电极表面形成导电层,所述铂盐溶液中的铂盐包括氯化铂、六氯铂酸铵、六氯铂酸钾、六氯铂酸钠、氯铂酸、硝酸铂、硫酸铂、四氯铂酸钾和四氯铂酸铵中的一种或多种,所述铂盐溶液的pH为6.5~7.5;所述电沉积包括恒电位沉积或恒电流沉积中的任意一种,所述恒电位沉积的电位为-0.5V~-0.75V;所述恒电流沉积的电流为-0.25μA~-5μA;所述电沉积法的沉积时间为20~60min。

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述沉积孔的截面形状包括为圆形、三角形、四边形和多边形中的一种或多种;所述沉积孔的横向尺寸为6~60μm。

7.一种包含如权利要求1-4任意一项所述复合阵列电极或如权利要求5或6所述制备方法制得的所述复合阵列电极在生化分析检测或生命科学领域的应用。

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