[发明专利]非易失性存储器及其编程方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：

多条字线；

多条位线；

存储器单元阵列，其中，所述存储器单元阵列通过所述多条字线和所述多条位线寻址；

控制器，

其中，所述控制器设置为：向与所述存储器单元阵列中的待编程存储器单元连接的字线首先施加一个递增的第一编程电压脉冲，之后施加一个或者多个增量阶跃脉冲编程电压。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述第一编程电压脉冲从第一预定值线性增加到第二预定值，所述一个或者多个增量阶跃脉冲编程电压的初始脉冲大于或者等于所述第二预定值。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述第一编程电压脉冲为台阶状地从第一预定值增加到第二预定值，所述一个或者多个增量阶跃脉冲编程电压的初始脉冲大于或者等于所述第二预定值。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的非易失性存储器，其中，所述一个或者多个增量阶跃脉冲编程电压的初始脉冲等于所述第二预定值加上所述一个或者多个增量阶跃脉冲编程电压的增量。

5.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其中，所述台阶形的电压脉冲包括6-10个台阶。

6.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其中，所述相邻两个台阶的增量小于等于0.7V。

7.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其中，所述台阶形的电压脉冲的每个台阶的持续时间小于等于0.8微秒。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述的非易失性存储器是闪存。

9.一种非易失性存储器的编程方法，其特征在于，包括：

第一步，向与存储器单元阵列中的待编程存储器单元连接的字线施加一个递增的第一编程电压脉冲；以及

第二步，向与存储器单元阵列中的待编程存储器单元连接的字线施加一个或者多个增量阶跃脉冲编程电压。

10.根据权利要求9所述的编程方法，其中，所述第一编程电压脉冲从第一预定值线性增加到第二预定值，所述一个或者多个增量阶跃脉冲编程电压的初始脉冲大于或者等于所述第二预定值。

11.根据权利要求9所述的编程方法，其中，所述第一编程电压脉冲配置为台阶状地从第一预定值增加到第二预定值，所述一个或者多个增量阶跃脉冲编程电压的初始脉冲大于或者等于所述第二预定值。

12.根据权利要求10或9所述的编程方法，其中，所述一个或者多个增量阶跃脉冲编程电压的初始脉冲等于所述第二预定值加上所述一个或者多个增量阶跃脉冲编程电压的增量。

13.根据权利要求11所述的编程方法，其中，所述台阶形的电压脉冲包括6-10个台阶。

14.根据权利要求11所述的编程方法，其中，所述相邻两个台阶的增量小于等于0.7V。

15.根据权利要求11所述的编程方法，其中，所述台阶形的电压脉冲的每个台阶的持续时间小于等于0.8微秒。

16.根据权利要求9所述的非易失性存储器的编程方法，还包括：

在第一步和/或第二步后，执行验证操作以确定所述待编程存储器单元是否编程成功。