[发明专利]一种非均质井区井间干扰快速解析计算方法有效
申请号: | 201811536687.5 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN109710881B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 陈伟;黄诚;袁权;胡燕;唐仕谷;陈理捷 | 申请(专利权)人: | 西南石油大学;中国石油天然气股份有限公司西南油气田分公司川中油气矿 |
主分类号: | G06F17/11 | 分类号: | G06F17/11;G16Z99/00 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 610500 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非均质井区井间 干扰 快速 解析 计算方法 | ||
1.一种非均质井区井间干扰快速解析计算方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)设定复合干扰区:选择测试井区和干扰井区,并以直线型井区界面为分界组成物性不同的复合干扰区;
(2)均质化的复合区干扰迭加:基于区域导压系数进行尺度变换,将非均质的干扰井区等效为测试井区,具体包括以下步骤:
S1:计算干扰井区控制方程和测试井区控制方程;
S2:以测试井区的物性为基础,获得各井区的无因次化方程;
S3:简化干扰井区控制方程,并获得与测试井区方程相同的形式;
S4:计算以测试井区为背景的均质系统中干扰井区对测试井区产生的干扰压降;
所述步骤S4包括以下子步骤:
S41:将干扰区边界距离RiD更换为等效的均质距离:Ri表示干扰井区与井区界面的距离;
S42:将干扰井区到测试井区的距离变换为R1iD+RD,R表示测试井区与井区界面的距离,相当于以测试井区为背景的均质系统中距离为R1iD+RD的干扰井区对测试井区产生压力干扰;
S43:以测试井区关井前的平均流量q作为无因次流量的参考量,干扰井区的流量记为qi(t),干扰井区流量序列记为无因次流量序列为tj,D=(tj)D,得到干扰井区多流量叠加产生的干扰压降为:其中,qi(tj)为干扰井区的流量序列,PiD(tD,R1iD+RD)为干扰井区对距离R1iD+RD处产生的无因次压降。
2.根据权利要求1所述的一种非均质井区井间干扰快速解析计算方法,其特征在于:所述的步骤S1中,所述干扰井区控制方程为:所述测试井区控制方程为:其中,干扰井区的导压系数为测试井区的导压系数为K为测试井区渗透率,φ为测试井区孔隙度,Ki为干扰井区渗透率,φi为干扰井区孔隙度,Ct为地层综合压缩系数,μ为地层流体粘度,r为井筒半径。
3.根据权利要求2所述的一种非均质井区井间干扰快速解析计算方法,其特征在于:所述步骤S2中,干扰井区的无因次化方程为:测试井区的无因次化方程为:
其中,无因次压力PD为:
无因次时间tD为:
无因次半径rD为:L为无因次化的距离参考量,取L=rw,rw为测试井井筒半径;
h为测试井区产层厚度,B为地层流体的体积系数,q为井区的流量序列。
4.根据权利要求3所述的一种非均质井区井间干扰快速解析计算方法,其特征在于:所述步骤S3包括以下子步骤:
S31:定义导压系数比κ,且
S32:将干扰井区的控制方程简化为:
S33:取得到简化后的与测试井区方程形式相同的干扰井区方程为:
5.根据权利要求1所述的一种非均质井区井间干扰快速解析计算方法,其特征在于:当干扰井区为直井时,干扰无因次压降为:其中,Ei()为幂积分函数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南石油大学;中国石油天然气股份有限公司西南油气田分公司川中油气矿,未经西南石油大学;中国石油天然气股份有限公司西南油气田分公司川中油气矿许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811536687.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。