[发明专利]发光器件、发光器件的制作方法及显示装置有效
申请号: | 201811536943.0 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN111326609B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 韦冬;杨小龙;邢汝博;李晓伟;郭恩卿;李旭娜 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/38 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种发光器件、发光器件的制作方法及显示装置,该发光器件包括:驱动背板;至少一组驱动电极,设置在所述驱动背板上,其中每组驱动电极包括第一驱动电极和第二驱动电极;外延层,位于所述至少一组驱动电极远离所述驱动背板的一侧;至少一组金属电极,位于所述外延层接近所述驱动背板的一侧,每组金属电极包括第一金属电极和第二金属电极,其中,所述第一金属电极和所述第二金属电极分别与对应的第一驱动电极和第二驱动电极相连,所述第一金属电极和所述第二金属电极之间设置有填充材料,用于填充所述外延层和所述驱动背板之间的空间。
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种发光器件、发光器件的制作方法及显示装置。
背景技术
在GaN基半导体器件的制备过程中,需要利用激光剥离技术将GaN层的衬底剥离掉,在该激光剥离过程中,容易产生氢气,且氢气急速聚集会产生巨大冲击力,容易使得GaN层碎裂。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种发光器件、发光器件的制作方法及显示装置,能够在激光剥离时支撑GaN层,平衡激光剥离过程中产生的冲击力,避免GaN层的碎裂,提高激光剥离衬底的良率。
第一方面,本发明提供了一种发光器件,包括:驱动背板;至少一组驱动电极,设置在驱动背板上,其中每组驱动电极包括第一驱动电极和第二驱动电极;外延层,位于至少一组驱动电极远离驱动背板的一侧;至少一组金属电极,位于外延层接近驱动背板的一侧,每组金属电极包括第一金属电极和第二金属电极,其中,第一金属电极和第二金属电极分别与对应的第一驱动电极和第二驱动电极相连,第一金属电极和第二金属电极之间设置有填充材料,用于填充外延层和驱动背板之间的空间。
在本发明某些实施例中,填充材料和驱动背板之间设置有表面隔离材料,表面隔离材料为与填充材料不相浸润的材料,表面隔离材料与第一驱动电极和/或第二驱动电极相邻,用于使得覆盖表面隔离材料的部分填充材料在热处理时收缩,从而在填充材料与驱动背板之间形成空隙。
在本发明某些实施例中,第一金属电极与填充材料之间设有第一间隙和/或第二金属电极与填充材料之间设有第二间隙,第一间隙和/或第二间隙中填充有在热处理时向第一间隙和/或第二间隙扩充的部分填充材料。
在本发明某些实施例中,外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层,第一半导体层靠近驱动背板的表面包括第一区域和第二区域,第一金属电极设置在第一区域与第一驱动电极之间,有源层和第二半导体层依次层叠设置在第二区域上,第二金属电极设置在第二半导体层与第二驱动电极之间,第一金属电极与有源层和第二半导体层之间设有第三间隙,第三间隙中填充有在热处理时向第三间隙扩充的部分填充材料。
在本发明某些实施例中,外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层,第一半导体层靠近驱动背板的表面包括第一区域和第二区域,第一金属电极设置在第一区域与第一驱动电极之间,有源层和第二半导体层依次层叠设置在第二区域上,第二金属电极设置在第二半导体层与第二驱动电极之间,第一间隙设置在第一金属电极的侧面与有源层、第二半导体层和填充材料的侧面之间。
在本发明某些实施例中,填充材料为包括聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、硅胶、氟胶中的任一种,表面隔离材料为包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、十八烷基三氯硅烷、硫醇、硅橡胶中的任一种。
第二方面,本发明的实施例提供了一种发光器件的制作方法,包括:在衬底上生长外延层;在外延层远离衬底一侧形成至少一组金属电极,每组金属电极包括第一金属电极和第二金属电极,并在背板上为每组金属电极设置对应的一组驱动电极,一组驱动电极包括第一驱动电极和第二驱动电极,其中背板为临时基板或驱动背板;在第一金属电极和第二金属电极之间填充填充材料,或在第一驱动电极和第二驱动电极之间填充填充材料;绑定外延层和背板,使得第一金属电极和第二金属电极分别与第一驱动电极和第二驱动电极相连,填充材料填充外延层和背板之间的空间;对带有衬底的发光器件进行热处理;激光剥离衬底。
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