[发明专利]发光单元及发光单元的制作方法

权利要求书

1.一种发光单元，其特征在于，包括：

衬底；

至少一个发光器件，设置在所述衬底一侧；

至少一个掩膜图案，设置在所述衬底远离所述至少一个发光器件的一侧，所述至少一个发光器件包括多个发光器件，所述至少一个掩膜图案包括多个掩膜图案，其中，每个发光器件的周边设置有沟槽，

其中所述掩膜图案被配置成使得：

在利用激光剥离所述衬底时，所述激光在所述掩膜图案的入射面的反射光与所述激光在所述掩膜图案的出射面的反射光发生相消干涉，使得所述掩膜图案的入射面反射出的能量降低，所述衬底被所述掩膜图案遮挡的部分与对应的发光器件因所述激光透过率的增加形成全剥离区域，所述衬底未被所述掩膜图案遮挡的部分与对应的发光器件形成半剥离区域，或者，

在利用激光剥离所述衬底时，所述激光在所述掩膜图案的入射面的反射光与所述激光在所述掩膜图案的出射面的反射光发生相长干涉，使得所述掩膜图案的入射面反射出的能量增加，所述衬底被所述掩膜图案遮挡的部分与对应的发光器件因所述激光透过率的降低形成半剥离区域，所述衬底未被所述掩膜图案遮挡的部分与对应的发光器件形成全剥离区域，

多个所述掩膜图案分别位于所述衬底与所述多个发光器件对应的位置上，且每个掩膜图案在所述衬底上投影的宽度窄于每个发光器件在所述衬底上投影的宽度，使得在利用所述激光剥离所述衬底时，所述发光器件被所述掩膜图案遮挡的部分形成全剥离区域，所述发光器件未被所述掩膜图案遮挡的部分形成半剥离区域，所述半剥离区域通过消耗所述激光剥离所述衬底时产生的部分冲击力来实现全剥离，或者，

每个掩膜图案位于所述衬底上与每个沟槽对应的位置上，且所述掩膜图案的宽度宽于所述沟槽的宽度，使得在利用所述激光剥离所述衬底时，所述发光器件被所述掩膜图案遮挡的部分形成半剥离区域，所述发光器件未被所述掩膜图案遮挡的部分形成全剥离区域，所述半剥离区域通过消耗所述激光剥离所述衬底时产生的部分冲击力来实现全剥离。

2.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述掩膜图案的厚度为所述激光在所述掩膜图案中的波长的四分之一的奇数倍，以使得所述衬底被所述掩膜图案遮挡的部分与对应的发光器件因所述相消干涉形成全剥离区域。

3.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述掩膜图案的厚度为所述激光在所述掩膜图案中的波长的四分之一的偶数倍，以使得所述衬底被所述掩膜图案遮挡的部分与对应的发光器件因所述相长干涉形成半剥离区域。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光单元，其特征在于，所述掩膜图案的材料包括耐高温材料。

5.根据权利要求4中所述的发光单元，其特征在于，所述耐高温材料包括二氧化硅或氧化铝或氧化铟锡或氮化硅。