[发明专利]一种基于疏松缺陷反应烧结SiC材料致密的方法有效
| 申请号： | 201811538985.8 | 申请日： | 2018-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109678513B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 董斌超;张舸;曹琪;包建勋;郭聪慧;崔聪聪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 疏松 缺陷 反应 烧结 sic 材料 致密 方法 | ||
1.一种基于疏松缺陷反应烧结SiC材料致密的方法，其特征在于，所述方法包括：
S1.将疏松缺陷的反应烧结SiC材料置于真空环境中，升温至一定温度，保温一段时间，使硅从疏松缺陷的反应烧结SiC材料中逸出并与包裹疏松缺陷的反应烧结SiC材料外表面的碳质材料反应，降温，得到预制体a；
所述S1具体为：将疏松缺陷的反应烧结SiC材料置于真空中，以升温速率为40-60℃/h升温至1600-2000℃，保温8-12h，使硅从疏松缺陷的反应烧结SiC材料中逸出，与包裹疏松缺陷的反应烧结SiC材料外表面的碳质材料反应，去除硅，以40-60℃/h的降温速率降至室温，得到预制体a；步骤S1中，所述真空环境低于10pa；
S2.将预制体a表面处理，与足量的硅置于真空环境中，升温至硅熔点以上，保温一段时间，使硅融化渗入预制体a中，得到致密的反应烧结SiC材料；
所述S2具体为：将预制体a表面打磨处理，与足量的硅置于真空环境中，打磨面与硅接触，以40-60℃/h升温速率升温至1450-1600℃，保温0.8-1.5h，使硅融化渗入预制体a中，得到致密的反应烧结SiC材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S2后还包括将致密反应烧结SiC材料冷却至室温。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将致密反应烧结SiC材料冷却至室温，冷却的降温速率为40-60℃/h。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S1具体为：
将疏松缺陷的反应烧结SiC材料置于真空中，以升温速率为50℃/h升温至1800℃，
保温10h，使硅从疏松缺陷的反应烧结SiC材料中逸出，与包裹疏松缺陷的反应烧结SiC材料外表面的碳质材料反应，去除硅，以50℃/h的降温速率降至室温，得到预制体a。
5.根据权利要求1或者4所述的方法，其特征在于，所述碳质材料为多孔的碳纤维毡或者多层碳纤维布。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述碳质材料为碳纤维毡。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S2具体为：
将预制体a表面打磨处理，预制体a表面打磨掉0.2mm，将与足量的硅置于真空环境中，打磨面与硅接触，以50℃/h升温速率升温至1500℃，保温1h，使硅融化渗入预制体a中，得到致密的反应烧结SiC材料。
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