[发明专利]量子点发光二极管器件及用于制作其的墨水

权利要求书

1.一种量子点发光二极管器件，包括依次相邻设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述量子点发光二极管器件还包括界面层，所述界面层设置在所述量子点发光层与所述电子传输层之间，所述界面层的材料为导电金属螯合物。

2.根据权利要求1所述量子点发光二极管器件，其特征在于，所述阴极为ITO，仅设置所述阴极、所述电子传输层和所述界面层的所述量子点发光二极管器件的半成品对可见光的透光率大于等于80％。

3.根据权利要求1所述量子点发光二极管器件，其特征在于，所述导电金属螯合物选自乙酰丙酮锆、乙酰丙酮钛、乙酰丙酮铪、乙酰丙酮钙、乙酰丙酮氧钛和二(乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯中的一种或者多种。

4.根据权利要求1所述量子点发光二极管器件，其特征在于，所述界面层的厚度为0.1～100nm。

5.根据权利要求4所述量子点发光二极管器件，其特征在于，所述界面层的厚度为0.1～20nm。

6.根据权利要求4所述量子点发光二极管器件，其特征在于，所述界面层的厚度为0.1～10nm。

7.根据权利要求1所述量子点发光二极管器件，其特征在于，形成所述电子传输层的材料为无机氧化物或掺杂无机氧化物；优选地，所述无机氧化物选自ZnO、TiO₂、SnO、ZrO₂和Ta₂O₃组成的组中任意一种或多种，所述掺杂无机氧化物中掺杂物选自Li、Mg、Al、Cd、In、Cu、Cs、Ga、Gd和8-羟基喹啉铝组成的组中的一种或多种，且所述掺杂物的掺杂比例为0.001～50wt％。

8.根据权利要求1所述量子点发光二极管器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为40～150nm。

9.根据权利要求1所述量子点发光二极管器件，其特征在于，所述阴极表面包括聚乙氧基乙烯亚胺层，所述阴极和所述聚乙氧基乙烯亚胺层通过配位键连接。

10.一种用于制作量子点发光二极管器件的墨水，其特征在于，包括导电金属螯合物和溶剂，所述溶剂为脂肪醇。

11.根据权利要求10所述墨水，其特征在于，所述导电金属螯合物选自乙酰丙酮锆、乙酰丙酮钛、乙酰丙酮铪、乙酰丙酮钙、乙酰丙酮氧钛和二(乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯中的一种或者多种。