[发明专利]层结构复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811539841.4 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109637924A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;胡聪;王佳乐;敖金平 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 制备 氧化铝介质 原子层沉积 惰性气体 结构复合材料 氮化镓表面 原生氧化物 表面化学 材料性能 功能缺陷 界面处理 清洗处理 三甲基铝 复合材料 层结构 金属膜 抛光 铝源 氧源 种层 沉积 | ||
1.一种层结构复合材料，其特征在于：所述层结构包括氮化镓衬底，还包括氧化铝层和金属层，沿所述氮化镓衬底至金属层的方向，所述氮化镓衬底、氧化铝层和金属层依次层叠结合。
2.如权利要求1所述的层结构复合材，其特征在于：所述氮化镓层厚度为200-350μm；
所述氧化铝层厚度为15-30nm；
所述金属层厚度为50-300nm。
3.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于：所述金属层包括Ti和Ai中的任一种或两种复合。
4.一种制备层结构复合材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：
用酸清除氮化镓表面的原生氧化物；
在原子层沉积仪中，以惰性气体为载气体，衬底温度为250-350℃，用三甲基铝处理氮化镓衬底其中一个表面；
在原子层沉积仪中以惰性气体为载气体，利用铝源和氧源，衬底温度为250-350℃，沉积氧化铝介质层；
在氧化铝介质层镀上金属膜。
5.如权利要求4所述的制备层结构复合材料的方法，其特征在于：所述惰性气体为氮气、氩气中的一种或多种。
6.如权利要求4所述的制备层结构复合材料的方法，其特征在于：所述铝源为三甲基铝。
7.如权利要求4所述的制备层结构复合材料的方法，其特征在于：所述氧源为水。
8.如权利要求4所述的制备层结构复合材料的方法，其特征在于：用三甲基铝处理衬底表面的工艺包括如下步骤：
通入反应前驱体三甲基铝，三甲基铝与存在于衬底表面的氧化镓发生化学反应，直至饱和时自动停止；
通入载气(氮气)清洁腔体，清除未完全反应的前驱体及副产物；
至此，一个周期结束，所述处理衬底表面的工艺需持续20-30个周期。
9.如权利要求4所述的制备层结构复合材料的方法，其特征在于：所述酸为盐酸、硫酸、氢氟酸中的一种或多种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
