[发明专利]电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于包括：

提供雾化装置，包括：

沉积腔体，

多个雾化口，位于沉积腔体内，

雾化器，位于沉积腔体外部，且通过输送通道与雾化口相连，

多个惰性气体匀风器，位于沉积腔体顶部并均匀排列，用于使吹出的惰性气体均匀吹拂，以使雾化的空穴传输层墨水、量子点墨水或电子传输层墨水均匀沉降，

掩模版，位于沉积腔体内部，且位于雾化口的下方，所述掩模版包括间隔分布的多个沉积孔以及由多个遮挡部排列形成的矩阵，所述遮挡部设于相邻两个沉积孔之间，所述遮挡部还具有凸起结构，所述凸起结构具有圆弧形轮廓并用于将沉积到遮挡部上的所述空穴传输层墨水、量子点墨水或电子传输层墨水引流至相邻沉积孔内，并且沉积孔分别沿相互垂直交叉的第一方向和第二方向排布形成阵列，在第一方向上任意两个相邻沉积孔之间无间隔或间隔两个子像素，在第二方向上任意两个相邻沉积孔之间无间隔并对应相邻子像素；

利用所述雾化装置将空穴传输层墨水、量子点墨水或电子传输层墨水雾化，再经掩模版沉积后固化成膜，形成空穴传输层、量子点发光层或电子传输层。

2.根据权利要求1所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述雾化的方式包括超声雾化、气动雾化和喷嘴雾化方式中的任意一种或多种。

3.根据权利要求1所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述雾化器对空穴传输层墨水、量子点墨水和电子传输层墨水中的任意一种或多种进行雾化处理后形成的雾化物经过所述多个雾化口朝所述掩模版输出，所述掩模版掩盖在空穴传输层、量子点发光层和电子传输层的任意一种或多种上。

4.根据权利要求1所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述量子点墨水包括第一溶剂和0.5wt%-10wt%量子点，所述量子点包括II-VI、III-V、IV- VI族量子点和钙钛矿量子点中的任意一种或两种以上的组合，所述第一溶剂采用沸点介于100-300℃之间的弱极性溶剂。

5.根据权利要求4所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述II-VI族量子点的材质包括CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的任意一种或两种以上的组合，所述III-V族量子点的材质包括InP、InAs和InAsP中的任意一种或两种以上的组合，所述IV- VI族量子点的材质包括PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe和PbSTe中的任意一种或两种以上的组合。

6.根据权利要求4所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述第一溶剂包括C6-C16的烷烃、烷基为C1-C12的烷基苯、溶剂油和C2-C14醇中的任意一种或两种以上的组合。

7.根据权利要求1、3-6中任一项所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述量子点墨水的表面张力介于25-32dyne/cm之间。

8.根据权利要求1所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述电子传输层墨水包括沸点介于70-250℃之间的第二溶剂和0.5wt%-10wt%电子传输材料，所述电子传输材料包括N型纳米半导体材料，所述第二溶剂包括主溶剂和辅助溶剂。

9.根据权利要求8所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述N型纳米半导体材料包括ZnO、ZnMgO和TiO₂中的任意一种或两种以上的组合。