[发明专利]一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法和应用

说明书

本发明涉及一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法和应用，属于太阳能电池技术领域。一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法，包括：向晶硅太阳能电池片通入递减式电流，递减式电流的通入方式包括依次进行的n个阶段。该方法通过采用递减式电流的注入方式匹配不同阶段温度变化来降低光衰幅度、提高具有优良抗光衰能力电池比例。减少电注入退火过程中晶硅太阳能电池片间的温度差异，使片间温度均匀性更好，晶硅太阳电池在70℃、800W/m²光衰处理30h后的效率衰减幅度更小。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，且特别涉及一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法和应用。

背景技术

随着国家政策及市场需求的指向，对晶硅太阳能电池的效率提出了越来越高的要求，高效电池的关注度也进一步提升，同时光致衰减效应(简称光衰)对太阳电池的影响也越来越大，终端市场对多晶硅太阳能电池的光衰率有严格的要求。因此，在多晶硅太阳能电池的生产过程中，需要对成品晶硅太阳能电池片进行抗光衰处理来达到工艺要求。目前，常规的抗衰减方法一般都是注入恒定值直流电，这样会引起温度分布不均，不利于光衰的均匀性。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的包括提供一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法，该方法简单，易于操作，能耗小，适用于规模化生产。

本发明的目的还包括提供上述提高太阳能电池抗光衰能力的方法在制备P型太阳能电池中的应用。

本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

本发明提出一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法，包括：向晶硅太阳能电池片通入递减式电流，递减式电流的通入方式包括依次进行的n个阶段：

第一阶段：在T₁温度下，通入的电流为I₁，运行时间为t₁；

第二阶段：在T₂温度下，通入的电流为I₂，运行时间为t₂；

第n阶段：在T_n温度下，通入的电流为I_n，运行时间为t_n；

其中I₁＞I₂＞I_n，T₁≥T₂＞T_n，T₁-T_n＝50～100℃，n为大于等于3的自然数。

本发明提出了上述提高太阳能电池抗光衰能力的方法在制备P型太阳能电池中的应用。

本发明的有益效果包括：

本发明采用一种提高晶体硅太阳能电池抗光衰能力的方法，将晶硅太阳能电池通过采用递减式电流的注入方式匹配不同阶段温度变化来降低光衰幅度、提高具有优良抗光衰能力电池比例。该方法减少电注入退火过程中晶硅太阳能电池片间的温度差异，使片间温度均匀性更好，光衰幅度更小。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例1电流曲线与常规电流曲线对比图；

图2为本发明实施例1电流曲线与常规电流曲线电池片效率分布对比图；

图3为本发明实施例1电流曲线与常规电流曲线电池片光衰对比图。

具体实施方式