[发明专利]一种Si-B-C三组元相的高通量制备方法

权利要求书

1.一种Si-B-C三组元相的高通量制备方法，其特征在于，包括：

（1）将多片基板分别放入到沉积反应室中的不同区域内；

（2）抽真空、充入惰性气体再抽真空；

（3）加热所述沉积反应室中的所述不同区域至不同的设定温度以使所述不同区域处于不同的温度场；

（4）通入SiCH₃Cl₃、BCl₃、和H₂，反应规定时间，以在各基板表面沉积形成Si-B-C三元相。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基板的材料为碳或/和碳化硅，优选为碳纤维、SiC纤维、碳纤维织体、SiC纤维编织体、石墨片、C/SiC陶瓷基复合材料、SiC/SiC陶瓷基复合材料中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在加热所述沉积反应室之前，所述沉积反应室的真空度不高于3Pa。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，以5～10℃/分钟的升温速率升温至设定温度；优选以10℃/分钟升温至700℃后，再以5℃/分钟升温至所述设定温度。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述沉积反应室包括上温区、中温区和下温区；优选地，所述上温区、中温区、下温区的设定温度逐级递增。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，相邻温区之间的温度梯度为5～150℃。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的参数包括：SiCH₃Cl₃的流量为240～1240ml/分钟；BCl₃流量为200～1000ml/分钟；H₂流量为240～9000ml/分钟；设定温度为900℃～1050℃；总反应压强为1.0～10Kpa，优选为3～7KPa。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述H₂和SiCH₃Cl₃的流量比为（1～8）:1。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述SiCH₃Cl₃以氢气鼓泡的方式导入，纯度为99.8%以上；所述BCl₃的纯度为99.9%以上；所述H₂的纯度为99.99%以上。