[发明专利]用于控制开关的装置、方法及系统有效

专利信息
申请号: 201811543281.X 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN109980922B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 洪韵尧;李建龙;黄绍祥;曾俊彥 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156;H02M1/32
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 李庆波
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 控制 开关 装置 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种用于控制开关的装置,其特征在于,包括:

差信号电路,用于检测开关两个传导端子的电压,其中所述开关包括两个传导端子和一个控制端子;

参考信号电路,用于根据所述开关两个传导端子的电压产生一个电流参考信号;和

控制电路,用于至少部分地基于所述电流参考信号发送控制信号至所述控制端子以控制所述开关;

其中,所述开关包括晶体管,所述控制端子为所述晶体管的栅极或基极,所述两个传导端子分别为源极和漏极或发射极和集电极;

所述参考信号电路配置为使所述电流参考信号与所述开关两个传导端子的电压差成反比;所述控制开关的装置,还包括:

反馈电流电路,用于接收表示所述开关中的电流电平的反馈电流信号;所述控制电路还被配置为基于所述电流参考信号和所述反馈电流信号的差值发送控制信号至所述控制端子以控制所述开关;其中,所述控制电路还被配置为当所述反馈电流信号大于电流参考信号,且所述开关是PMOS设备时增大所述控制信号;当所述反馈电流信号大于电流参考信号,且所述开关是NMOS设备时减小所述控制信号;当所述反馈电流信号小于电流参考信号,且所述开关是PMOS设备时减小所述控制信号;当所述反馈电流信号小于电流参考信号,且所述开关是NMOS设备时增大所述控制信号。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述控制电路还被配置为基于所述电流参考信号确定要提供给所述开关作为输入端的传导端子的最大输入,以限制所述开关中的电流电平。

3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述差信号电路还配置为生成与所述开关两个传导端子的电压差成比例的差信号,所述参考信号电路还配置为根据所述差信号产生所述电流参考信号。

4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述差信号为电压信号或电流信号。

5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,当所述差信号为电压信号时,所述参考信号电路配置为将所述电压信号转换为电流信号,以得到电流域的差信号。

6.根据权利要求4或5所述的装置,其特征在于,所述电流信号受最大参考电流限制。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述参考信号电路还被配置为使所述电流参考信号为所述最大参考电流与电流形式的差信号之差。

8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述参考信号电路还被配置为使所述电流参考信号为K*(最大参考电流-电流形式的差信号)+(最小参考电流),其中,K为增益。

9.一种用于控制开关的方法,其特征在于,包括:

检测开关两个传导端子的电压,其中所述开关包括两个传导端子和一个控制端子;

根据所述开关两个传导端子的电压产生一个电流参考信号;和

至少部分地基于所述电流参考信号发送控制信号至所述控制端子以控制所述开关;

其中,所述开关包括晶体管,所述控制端子为所述晶体管的栅极或基极,所述两个传导端子分别为源极和漏极或发射极和集电极;

所述根据所述开关两个传导端子的电压产生一个电流参考信号包括:

使所述电流参考信号与所述开关两个传导端子的电压差成反比;

所述方法,还包括:

接收表示所述开关中的电流电平的反馈电流信号;

基于所述电流参考信号和所述反馈电流信号的差值发送控制信号至所述控制端子以控制所述开关;当所述反馈电流信号大于电流参考信号,且所述开关是PMOS设备时增大所述控制信号;当所述反馈电流信号大于电流参考信号,且所述开关是NMOS设备时减小所述控制信号;当所述反馈电流信号小于电流参考信号,且所述开关是PMOS设备时减小所述控制信号;当所述反馈电流信号小于电流参考信号,且所述开关是NMOS设备时增大所述控制信号。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,基于所述电流参考信号确定要提供给所述开关作为输入端的传导端子的最大输入,以限制所述开关中的电流电平。

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