[发明专利]金属线及阵列基板的制作方法、阵列基板有效
申请号: | 201811543845.X | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109616442B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 刘宁 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/528;H01L27/12;G03F7/00 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属线 阵列 制作方法 | ||
本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种金属线的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板。该金属线的制作方法包括:在基板上形成金属层;在所述金属层上形成光阻图案,所述光阻图案包括第一光阻图案和位于所述第一光阻图案上的第二光阻图案,所述第一光阻图案在所述金属层上的正投影位于所述第二光阻图案在所述金属层上的正投影内;对所述金属层进行构图工艺,以形成中间金属线;将所述第二光阻图案从所述第一光阻图案上剥离下来;对所述中间金属线进行构图工艺,以形成金属线。本方案可减小金属线的横截面的坡度角,从而方便后续金属跨线,极大的提升了产品良率及显示质量。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种金属线的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板。
背景技术
随着显示产品逐渐向大尺寸方向发展,需要显示面板的金属线导电性越来越好,这就需要金属线做的足够厚才行;同时为了满足高PPI(Pixels Per Inch,像素密度)和高开口率的要求,需要把金属线做的足够窄,也就是说,目前金属线逐渐向又厚又窄方向发展。
由于背板工艺存在栅极与源漏极、栅极与像素电极、源漏极与像素电极等各种情况的跨线布局,这就需要各种又厚又窄的金属线,且该金属线的横截面的坡度角要足够缓才行,不然非常容易引起上跨金属线断裂,从而造成各种电学不良。目前常规刻蚀出来的金属线的横截面的坡度角都较大,而且随着金属膜厚的增加其坡度角也逐渐增大,非常容易造成上跨金属线的断裂。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本申请的目的在于提供一种金属线的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板,可减小金属线的横截面的坡度角,从而方便后续金属跨线,极大的提升了产品良率及显示质量。
本申请第一方面提供了一种金属线的制作方法,其包括:
在基板上形成金属层;
在所述金属层上形成光阻图案,所述光阻图案包括第一光阻图案和位于所述第一光阻图案上的第二光阻图案,所述第一光阻图案在所述金属层上的正投影位于所述第二光阻图案在所述金属层上的正投影内;
对所述金属层进行构图工艺,以形成中间金属线;
将所述第二光阻图案从所述第一光阻图案上剥离下来;
对所述中间金属线进行构图工艺,以形成金属线。
在本申请的一种示例性实施例中,对所述金属层进行构图工艺,以形成中间金属线,包括:
采用湿法刻蚀工艺对所述金属层进行刻蚀,以形成中间金属线。
在本申请的一种示例性实施例中,对所述中间金属线进行构图工艺,以形成金属线,包括:
采用湿法刻蚀工艺对所述中间金属线进行刻蚀,以形成金属线。
在本申请的一种示例性实施例中,在所述金属层上形成光阻图案,包括:
在所述金属层上涂覆第一光刻胶;
对所述第一光刻胶进行光刻工艺,以形成第一光阻图案;
在所述金属层及所述第一光阻图案上涂覆第二光刻胶;
对所述第二光刻胶进行光刻工艺,以形成所述第二光阻图案。
在本申请的一种示例性实施例中,所述第二光阻图案包覆在所述第一光阻图案上。
在本申请的一种示例性实施例中,所述第二光阻图案的中心在所述金属层上的正投影与所述第一光阻图案的中心在所述金属层上的正投影相重合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造