[发明专利]用于减小半导体器件中的栅致漏极泄露的方法和相关装置

说明书

在一些实施例中，提供了半导体器件。半导体器件包括设置在半导体衬底中的一对源极/漏极区域，其中，源极/漏极区域横向间隔开。栅电极设置在源极/漏极区域之间的半导体衬底上方。侧壁间隔件设置在栅电极的相对侧上的半导体衬底上方。硅化物阻挡结构设置在侧壁间隔件上方，其中，源极/漏极区域的面向栅电极的相应侧与侧壁间隔件的外侧间隔开，并且与硅化物阻挡结构的外侧壁基本对准。本发明实施例涉及用于减小半导体器件中的栅致漏极泄露的方法和相关装置。

技术领域

本发明实施例涉及用于减小半导体器件中的栅致漏极泄露的方法和相关装置。

背景技术

半导体器件是利用半导体材料的电子特性来影响电子或其相关场的电子组件。广泛使用的半导体器件类型是场效应晶体管(FET)。FET包括一对源极/漏极区域、选择性导电沟道和栅电极。FET是通用器件，其可以用于开关、放大器和存储器等。FET的实例包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种半导体器件，包括：一对源极/漏极区域，设置在半导体衬底中，其中，所述源极/漏极区域横向间隔开；栅电极，设置在所述源极/漏极区域之间的所述半导体衬底上方；侧壁间隔件，设置在所述栅电极的相对侧上的所述半导体衬底上方；以及硅化物阻挡结构，设置在所述侧壁间隔件上方，其中，所述源极/漏极区域的面向所述栅电极的相应侧与所述侧壁间隔件的外侧间隔开，并且与所述硅化物阻挡结构的外侧壁对准。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种半导体器件，包括：第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，设置在半导体衬底中，其中，所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域横向间隔开；栅极电介质，设置在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的所述半导体衬底上方；栅电极，设置在所述栅极电介质上方；第一侧壁间隔件，设置在所述栅电极的第一侧上的所述半导体衬底上方；第一硅化物阻挡结构，设置在所述第一侧壁间隔件上方，其中，所述第一硅化物阻挡结构沿着所述第一侧壁间隔件的外侧从所述半导体衬底垂直延伸，并且其中，所述第一硅化物阻挡结构在所述半导体衬底上方横向延伸第一非零距离；以及第一硅化物结构，设置在所述第一源极/漏极区域上方，其中，所述第一硅化物阻挡结构将所述第一硅化物结构与所述第一侧壁间隔件分隔开第一非零距离。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成堆叠的栅电极和栅极电介质；在栅电极的第一侧上的半导体衬底上方形成第一侧壁间隔件，并且在所述栅电极的与所述栅电极的第一侧相对的第二侧上的所述半导体衬底上方形成第二侧壁间隔件；在所述第一侧壁间隔件、所述第二侧壁间隔件、所述栅电极和所述半导体衬底上方形成硅化物阻挡层；在所述栅电极的第一侧上的所述硅化物阻挡层中形成第一开口，其中，所述第一开口具有与所述第一侧壁间隔件的外侧间隔开的第一侧壁；在所述栅电极的所述第二侧上的所述硅化物阻挡层中形成第二开口，其中，所述第二开口具有与所述第二侧壁间隔件的外侧间隔开的第二侧壁；以及在所述半导体衬底中形成一对源极/漏极区域，其中，所述源极/漏极区域分别设置在所述栅电极的第一侧和所述栅电极的第二侧上，并且其中，所述源极/漏极区域的面向所述栅电极的相应侧与所述第一侧壁和所述第二侧壁对准。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了具有设置在半导体衬底中的一对源极/漏极区域的半导体器件的一些实施例的截面图，该对源极/漏极区域分别通过侧壁间隔件和硅化物阻挡结构与栅电极分隔开。

图2示出了具有多个半导体器件的集成电路(IC)的一些实施例的截面图，每个半导体器件均具有设置在半导体衬底中的一对源极/漏极区域，该对源极/漏极区域分别通过侧壁间隔件和硅化物阻挡结构与栅电极分隔开。