[发明专利]半导体检测装置及检测方法

权利要求书

1.一种半导体检测装置，其特征在于，包括：

晶圆承载装置，用于承载待检测晶圆；

入射光系统，用于向所述待检测晶圆发射第一入射光，所述第一入射光经待检测晶圆的反射形成第一反射光；

光学信号分拣系统，用于自所述第一反射光中分拣出非线性光学信号；

控制系统，用于根据所述非线性光学信号获取所述待检测晶圆的第一缺陷信息。

2.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，所述非线性光学信号包括二次谐波信号、三次谐波信号、和频响应信号以及差频响应信号。

3.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，还包括：晶圆对准对焦系统，包括：成像单元，用于获取待测晶圆表面不同位置的成像图案；传感器，用于获取所述待测晶圆在第一方向上的位置信息，所述第一方向垂直于所述待测晶圆表面。

4.如权利要求3所述的半导体检测装置，其特征在于，所述控制系统包括：成像运算单元，用于根据待测晶圆表面不同位置的成像图案获取所述待测晶圆的位置信息；第一位置控制单元，用于根据所述位置信息沿平行基准平面的方向移动所述晶圆承载装置，所述基准平面平行于所述待测晶圆表面。

5.如权利要求3所述的半导体检测装置，其特征在于，所述控制系统包括：第二位置控制单元，用于根据所述第一方向上的位置信息移动所述晶圆承载装置，以实现第一入射光在所述待测晶圆表面对焦。

6.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，所述入射光系统包括：第一光源，用于发射第一初始入射光；第一入射光调制单元，用于对所述第一初始入射光进行调制，形成发射至晶圆的所述第一入射光。

7.如权利要求6所述的半导体检测装置，其特征在于，所述第一光源包括激光发射器。

8.如权利要求6所述的半导体检测装置，其特征在于，所述第一入射光调制单元：调制装置，用于改变所述初始入射光的光强、偏振参数和焦距中的一者或多者；监控装置，用于监控所述第一入射光的入射光信息，并将所述入射光信息反馈至所述控制系统。

9.如权利要求8所述的半导体检测装置，其特征在于，入射光信息包括：功率、光强、偏振参数和光脉冲参数。

10.如权利要求6所述的半导体检测装置，其特征在于，所述入射光系统还包括：第二光源，用于向所述待检测晶圆发射第二入射光，所述第二入射光经待检测晶圆的反射形成第二反射光。

11.如权利要求10所述的半导体检测装置，其特征在于，还包括：附加信号采集系统，用于根据所述第二反射光获取附加光学信号，并将所述附加光学信号传输至所述控制系统。

12.如权利要求10所述的半导体检测装置，其特征在于，所述入射光系统还包括：第二入射光调制单元，用于对所述第二入射光进行调制后，将调制后的第二入射光发射至待检测晶圆表面。

13.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，还包括：附加信号采集系统，用于自所述第一反射光中获取附加光学信号，并将所述附加光学信号传输至所述控制系统。

14.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，还包括：主信号采集系统，用于获取所述非线性光学信号，并将所述非线性光学信号传输至所述控制系统。

15.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，所述光学信号分拣系统包括：滤光器，用于通过具有预设波长范围的部分第一反射光，以形成第一过渡光学信号；偏振器，用于通过具有预设偏振参数的所述第一过渡光学信号，以形成所述非线性光学信号。