[发明专利]NVM存储介质模拟器在审

专利信息
申请号: 201811544317.6 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN111324414A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 谢进伟;贾舒;程雪 申请(专利权)人: 北京忆芯科技有限公司
主分类号: G06F9/455 分类号: G06F9/455;G06F12/0877;G06F3/06
代理公司: 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 代理人: 陈变花
地址: 100085 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: nvm 存储 介质 模拟器
【权利要求书】:

1.一种NVM存储介质模拟方法,其特征在于,包括:

响应于获取遵循NVM芯片接口协议的第一命令;

若所述第一命令是合法的写命令,根据第一命令访问的物理地址获取对应的第一虚拟块;

获取为第一虚拟块提供存储空间的第一缓存单元或第一数据文件单元;以及将第一命令对应的数据写入第一缓存单元或第一数据文件单元。

2.如权利要求1所述的NVM存储介质模拟方法,其特征在于,

若所述第一命令为合法的读命令,根据第一命令访问的物理地址获取对应的第一虚拟块;

获取为第一虚拟块提供存储空间的第一缓存单元或第一数据文件单元;以及从第一缓存单元或第一数据文件单元中获取数据。

3.如权利要求1所述的NVM存储介质模拟方法,其特征在于,

若所述第一命令为合法的擦除命令,根据第一命令访问的物理地址获取对应的第一虚拟块;擦除第一命令所指示擦除的物理块,并在第一虚拟块中设置擦除标记。

4.如权利要求1-3任意一项所述的NVM存储介质模拟方法,其特征在于,响应于获取遵循NVM芯片接口协议的第一命令,检查第一命令的格式是否满足NVM芯片接口协议的要求,并检查第一命令是否满足NVM芯片的约束条件,如果均满足,则第一命令为合法命令,否则生成命令不合法的处理结果。

5.如权利要求4所述的NVM存储介质模拟方法,其特征在于,NVM芯片的约束条件包括:

若第一命令为读命令或擦除命令,则第一命令所访问的物理页应当为已经被写入数据的物理页;

若第一命令为写命令,则第一命令所访问的物理页应当为处于擦除状态的物理页。

6.如权利要求4所述的NVM存储介质模拟方法,其特征在于,第一命令的格式满足NVM芯片接口协议的要求且满足NVM芯片的约束条件,若第一命令访问的物理地址属于坏块,则生成处理失败的处理结果。

7.如权利要求6所述的NVM存储介质模拟方法,其特征在于,

若第一命令是访问坏块的编程命令,则生成指示编程命令处理失败的处理结果;

若第一命令是访问坏块的读命令,则生成存在不可纠正错误的数据作为读命令的处理结果;

若第一命令是访问坏块的擦除命令,则生成指示擦除命令处理失败的处理结果。

8.如权利要求4所述的NVM存储介质模拟方法,其特征在于,第一命令的格式满足NVM芯片接口协议的要求且满足NVM芯片的约束条件,针对读命令以指定概率生成存在不可纠正错误的数据作为读命令的处理结果。

9.如权利要求4所述的NVM存储介质模拟方法,其特征在于,第一命令的格式满足NVM芯片接口协议的要求且满足NVM芯片的约束条件,若第一命令访问的地址与之前访问相同物理块的一个或多个写命令的地址不满足指定的关系,将第一命令对应的数据改为存在不可纠正错误的数据。

10.一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述程序时实现上述权利要求1-9之一所述的NVM存储介质模拟方法。

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