[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：

衬底，其包括：具有朝向厚度方向一侧的基材正面和朝向所述厚度方向另一侧的基材背面的绝缘性基材、形成于所述基材的导体层、以及覆盖所述导体层的一部分的绝缘层；

搭载于所述衬底的所述基材正面侧的半导体发光元件；和

覆盖所述半导体发光元件的树脂部，其能够使来自所述半导体发光元件的光透过，

所述衬底的所述基材具有：在第一方向上隔开间隔的一对基材第一侧面，其分别连接所述基材正面与所述基材背面；和在所述厚度方向上看时比所述基材第一侧面向所述半导体发光元件侧凹进的基材第三侧面，该基材第三侧面分别连接所述基材正面与所述基材背面，

所述导体层具有形成于所述基材正面的正面部和形成于所述基材第三侧面的侧面部，

所述正面部具有在所述半导体发光元件侧与所述基材第三侧面邻接、并且与所述侧面部相连的正面第一部，

所述绝缘层具有：在所述厚度方向上看时相对于所述基材第三侧面位于与所述半导体发光元件相反的一侧的绝缘层第一部；和在所述厚度方向上看时与所述导体层的所述正面第一部重叠的绝缘层第二部，

所述树脂部覆盖所述绝缘层的所述绝缘层第一部和所述绝缘层第二部，

所述绝缘层第一部的厚度即第一厚度大于所述绝缘层第二部的厚度即第二厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层具有第一绝缘层和在所述厚度方向一侧层叠于所述第一绝缘层的第二绝缘层，

所述绝缘层第一部包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。

4.根据权利要求2或3所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层第二部包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

5.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第二绝缘层的端缘在所述厚度方向上看时，位于所述基材第三侧面与所述正面第一部的端缘之间。

6.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层具有与所述正面第一部邻接且与所述基材正面相接触的绝缘层第三部。

7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层第一部与所述树脂部的正面之间的距离即第一距离，小于所述绝缘层第三部与所述树脂部的正面之间的距离即第三距离。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层第二部与所述树脂部的正面之间的距离即第二距离小于所述第三距离。

9.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层具有由所述第一绝缘层构成的绝缘层第四部，所述绝缘层第四部在所述正面第一部上存在于所述绝缘层第二部与所述绝缘层第三部之间。

10.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层第四部的厚度即第四厚度小于所述绝缘层第三部的厚度即第三厚度。

11.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第二厚度大于所述导体层的所述正面部的所述正面第一部的厚度。

12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第四厚度大于所述导体层的所述正面部的所述正面第一部的厚度。