[发明专利]柔性OLED装置有效
申请号: | 201811544610.2 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109659344B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 丁峰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 oled 装置 | ||
本发明提供一种柔性OLED装置。该柔性OLED装置包括OLED面板以及设于所述OLED面板上的盖板;所述盖板中设有多个第一抗冲击结构;所述第一抗冲击结构不仅不会破坏膜层的原有功能,还能有效分解柔性OLED装置受到的冲击力,避免应力集中导致损坏产品,提高柔性OLED装置的抗冲击能力。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性OLED装置。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光材料层、设于发光材料层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光材料层,并在发光材料层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
随着柔性OLED面板技术的成熟,柔性面板OLED已可以量产化,并为折叠屏幕的生产提供了可靠基础。在可折叠OLED面板模组制程中,为了做到产品轻薄且便于弯折,各种膜材的厚度都尽可能的减薄,但是膜材减薄会导致产品抗冲击能力降低,产品易于损坏。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性OLED装置,可以避免应力集中导致损坏产品,提高柔性OLED装置的抗冲击能力。
为实现上述目的,本发明提供了一种柔性OLED装置,包括:OLED面板以及设于所述OLED面板上的盖板;
所述盖板中设有多个第一抗冲击结构;
所述第一抗冲击结构用于分解柔性OLED装置受到的冲击力。
所述柔性OLED装置还包括设于所述OLED面板与盖板之间的盖板粘结层;所述盖板粘结层中设有多个第二抗冲击结构。
所述柔性OLED装置还包括设于所述OLED面板与盖板粘结层之间的上保护层以及设于所述上保护层与OLED面板之间的上保护层粘结层;所述上保护层粘结层中设有多个第三抗冲击结构。
所述柔性OLED装置还包括设于所述OLED面板下方的下保护层以及设于所述下保护层与OLED面板之间的下保护层粘结层;所述下保护层粘结层中设有多个第四抗冲击结构。
所述盖板粘结层、上保护层粘结层以及下保护层粘结层的材料均为光学胶。
所述第一抗冲击结构、第二抗冲击结构、第三抗冲击结构以及第四抗冲击结构的形状均为波浪形;所述第一抗冲击结构、第二抗冲击结构、第三抗冲击结构以及第四抗冲击结构均为碳纤维结构。
所述碳纤维结构的横截面形状为波浪形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的