[发明专利]倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201811545378.4 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109659380A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 邱家梁;周肃;黄惜惜;黄青松;贾佳;张鑫义;勾宪芳;黄国平 | 申请(专利权)人: | 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 贾颜维 |
地址: | 212000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倒金字塔 绒面 制备 硅片 太阳能电池 硅片表面 腐蚀坑 纳米级 晶体硅太阳能电池 碱性溶液处理 链式反应设备 表面织构化 预处理溶液 反应特性 碱性溶液 纳米级别 陷光结构 浸入 硅腐蚀 液处理 一步法 银沉积 银颗粒 再利用 含银 去除 修饰 加工 | ||
1.一种倒金字塔绒面制备方法,适于链式反应设备,其特征在于,包括:
步骤a.将硅片浸入含Ag+、HF以及HNO3的预处理溶液中进行银沉积及表面织构化,在所述硅片表面形成含银颗粒的纳米级腐蚀坑;
步骤b.将步骤a得到的所述硅片使用硅腐蚀液处理,去除所述硅片表面的所述银颗粒;
步骤c.将步骤b得到的所述硅片使用碱性溶液处理,将所述纳米级腐蚀坑扩大为亚微米倒金字塔腐蚀坑。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硅片表面的所述银颗粒的粒径为60~130nm。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述预处理溶液中,所述Ag+的浓度为0.1~10mg/L,所述HF的浓度为1~100g/L,所述HNO3的浓度为4~400g/L,所述HNO3与所述HF的物质的量之比为1:0.3~3;
和/或,步骤a中,反应温度为20~35℃,反应时间为30~120s。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硅腐蚀液为硝酸溶液或氨水;
可选地,所述硅腐蚀液为质量浓度为40~67%的硝酸溶液。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法,其特征在于,步骤b中,反应温度为40~80℃,反应时间为20~50s。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述亚微米倒金字塔腐蚀坑的尺寸为0.6~1.5μm。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述碱性溶液为无机碱溶液。
8.根据权利要求1、6和7中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述碱性溶液为碱浓度为1~100mmol/L的、含NaOH和/或KOH的溶液;
和/或,步骤c中,反应温度为20~30℃,反应时间为20~200s。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,还包括:
步骤d.将步骤c得到的所述硅片进行酸洗,去除所述硅片表面的氧化物。
10.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:对采用如权利要求1~9任一项所述的制备方法制备的具有倒金字塔绒面的所述硅片进行加工。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的