[发明专利]AMOLED柔性显示装置有效
申请号: | 201811545485.7 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109545837B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 刘长瑜 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;程晓 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 柔性 显示装置 | ||
本发明提供一种AMOLED柔性显示装置,包括AMOLED屏体及图像传感器,所述AMOLED屏体包括柔性基板、TFT层、OLED层及封装层,所述柔性基板包括指纹识别区域及剩余的非指纹识别区域,图像传感器对应设置在柔性基板的指纹识别区域,所述柔性基板的非指纹识别区域为双有机层结构,包括两层有机层及设于该两层有机层之间的无机间隔层,而指纹识别区域为单有机层结构,只包括一层有机层,从而提高了指纹识别区域的穿透率,增大了图像传感器接收到的光的强度,提高了指纹识别的准确度,同时由于提高了指纹识别区域的穿透率则可以降低AMOLED屏体对应该区域的OLED发光强度,进而可延长该区域的OLED寿命。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种具有指纹识别功能的AMOLED柔性显示装置。
背景技术
有源矩阵有机电致发光二极体(Active-matrix organic light emittingdiode,简称AMOLED)属于一种自主发光技术。与液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)相比,自主发光的AMOLED显示器不需要背光源,具有响应速度快、对比度高、视角广、低功耗、可折叠、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低等优势,被业内普遍看好,业界一致认为OLED显示器极有可能成为下一代显示技术的主流产品。
随着显示技术的发展,显示装置的显示效果越来越好,给人们带来了良好的视觉体验,但由于生活水平的提高,人们对显示装置的要求不仅局限于显示效果,还要求显示其具有多样化的功能。因此,指纹识别和柔性显示面板被广泛地应用于手机、个人数字助理(PDA)、电脑等电子设备的显示屏中。
目前,业界主要采用的指纹识别技术为电容式指纹识别技术和光学指纹技术,电容式指纹识别技术利用手指的嵴和峪与感应电极之间所形成的电容值的大小来探测手指的嵴和峪的位置从而形成指纹图像信息。光学指纹技术则通过感光元件获取手指表层反射光线信息,最终拼接成完整的指纹成像信息。现有的电容式指纹识别技术需要另外在指纹触摸位置单独设置触觉开关、电容元件、和指纹识别传感器等硬件设备,提高了制程时间与设计成本,且该技术的指纹识别无法设置于显示区。
光学指纹技术需要自有光源进行指纹采集,通常采用终端设备的显示屏幕作为发光主体,通过光路照射到手指的指纹,返回的光线再通过屏幕返回到屏幕下方的图像传感器(Photo Sensor),终端设备针对返回的图像与数据库进行分析对比,最终识别指纹。图1为具有指纹识别功能的AMOLED柔性显示装置的工作原理图,AMOLED屏100发出的光经其内的各膜层照射到手指,经手指折射后,再次经过各膜层,最后被AMOLED屏100下方设置的图像传感器200接收、识别,所以为增加指纹识别的准确度,需提高图像传感器200接受到的光的强度,即需提高光的穿透率。而目前市场上的具有屏幕指纹识别功能的手机、PAD等终端设备,对显示屏幕并未作特殊设计,终端设备屏幕内各膜层叠加起来,光线穿透屏幕率极低,导致图像传感器200接收到的亮度低,降低了指纹识别的准确度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED柔性显示装置,能够提高指纹识别区域的穿透率,增大图像传感器接收到的光的强度,提高指纹识别的准确度。
为实现上述目的,本发明提供了一种AMOLED柔性显示装置,包括AMOLED屏体及设在所述AMOLED屏体背面的图像传感器;
所述AMOLED屏体包括柔性基板及依次设于所述柔性基板上的TFT层、OLED层及封装层;
所述柔性基板包括指纹识别区域及剩余的非指纹识别区域;
所述图像传感器对应设置在所述柔性基板的指纹识别区域;
所述柔性基板的非指纹识别区域为双有机层结构,包括靠近TFT层的第一有机层、远离TFT层的第二有机层及设于所述第一有机层和第二有机层之间的无机间隔层;
所述柔性基板的指纹识别区域为单有机层结构,包括第一有机层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的