[发明专利]太阳能电池芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811545801.0 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109585577A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 黄亮;谢新雷;李刚;姜广增 | 申请（专利权）人： | 北京汉能光伏投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 101400 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池芯片 第一电极 膜层 膜层结合力 厚度均匀 基板表面 膜层表面 使用寿命 基板 制作 | ||
1.一种太阳能电池芯片，包括基板和第一电极层，其特征在于，所述太阳能电池芯片还包括依次形成于所述基板表面的SiO2膜层，形成于所述SiO2膜层表面的SiONx膜层，其中x大于或等于0.2，且小于或等于1.1，以及形成于所述SiONx膜层表面的Si3N4膜层，所述第一电极层形成于所述Si3N4膜层表面。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述SiONx膜层为SiO2和Si3N4的混合物，所述SiONx膜层的厚度为
3.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述SiO2膜层的厚度为
4.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述Si3N4膜层的厚度为
5.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述太阳能电池芯片还包括形成于所述第一电极层表面的半导体层，和形成于所述半导体层表面的透光的第二电极层，所述太阳能电池芯片具有多个贯通所述半导体层的P2刻划槽，每个P2刻划槽的一端由所述第一电极层封闭，每个P2刻划槽由所述第二电极层填充。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述第一电极层具有多个贯通所述第一电极层的P1刻划槽，每个P1刻划槽的一端由所述半导体层封闭，另一端由所述Si3N4膜层封闭。
7.一种太阳能电池芯片的制作方法，其特征在于，包括：在基板表面形成SiO2膜层；在所述SiO2膜层表面形成SiONx膜层，其中x大于或等于0.2，且小于或等于1.1；在所述SiONx层表面形成Si3N4膜层；在所述Si3N4膜层表面形成第一电极层。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在所述第一电极层形成多个贯通所述第一电极层的P1刻划槽。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在所述第一电极层表面形成半导体层。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括形成多个贯通所述半导体层的P2刻划槽；和在所述半导体表面形成透光的第二电极层，所述第二电极层还填充所述P2刻划槽。
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