[发明专利]一种中性电解去溢料液、该去溢料液的工艺及使用方法

说明书

本发明所涉及一种中性电解去溢料液，包括表面活性剂混合液，溶剂混合液，导电离子混合物，中和剂溶液，络合剂混合物，缓冲剂混合物。因采用50％的溶剂混合液，20％的导电离子混合物，10％的表面活性剂混合液，18％的中和剂溶液，0.1％的络合剂混合物质，0.1％的缓和剂混合物，制成中性电解去溢料液，因该中性电解去溢料液的酸碱溶液为中性，有利于达到安全，环保节能，以及降低使用成本。中性酸碱溶液不会对被加工IC引脚造成分层的现象发生，达到避免被加工的IC引脚的分层现象发生。使用时，需要将IC引脚放置到中性电解去溢料液内部进行电解处理即可，达到具有使用简单方便的功效。本发明还具有制作加工简单，操作方便的功能。

【技术领域】

本发明涉及一种半导体元器件、LED封装技术、以及集成电路的技术领域的应用材料，具体是指一种用于半导体芯片封装塑封工艺的中性电解去溢料液、该去溢料液的工艺及使用方法。

【背景技术】

随着信息产业和人工智能的不断发展以及通信、工业控制、消费电子等领域的需求旺盛，再加上芯片电路的高度集成以及产品小型化的趋势及其产品的稳定性、可靠性的要求越来越严格。显然传统的封装工艺及其所用的材料满足不了新的要求。然而，在现有技术中IC塑封之后，为去除残留在IC的引脚上的塑封料，而采用以IC作为阴极，强碱型电解去溢料液为电解质，再以不锈钢或钛合金为阳极，在电压和电流的作用下，再IC引脚与塑封料之间的缝隙产生气体，实现把残留IC引脚上塑封料去除掉。在此去除塑封料的过程中，由于所述的强碱溶液容易烧伤工作人员，或者解除工作人员的皮肤，使用时需要3.2V至3.5V的电压，90安培至140安培的电流才能工作，所以使得给工厂、操作者带来火灾或烧伤等隐患，导致给工厂及操作者操作时带来极其不安全的隐患。又由于在使用后残留了大量强碱型溶液需要大量的酸性物质来中和之后才能排放，使得具有污染环境以及使用成本高。又因所述的强碱型电解液具有很强的腐蚀性，使得被去除的IC引脚上与塑封料之间产生分层，电镀时，电镀药水渗透进IC,导致芯片电路被腐蚀。

【发明内容】

有鉴于此，本发明技术目的是为了解决上述现有技术存在的问题而提供一种具有安全，环保节能，降低使用成本，以及避免芯片线路在塑封后被腐蚀的现象发生的中性电解去溢料液。

本发明另一技术目的还提供一种具有制作加工简单，操作方便的中性电解去溢料液工艺。

本发明另一技术目的还提供一种具有使用简单方便，以及使用低电流的中性电解去溢料液使用方法。

为此解决上述技术问题，本发明中的技术方案所采用一种中性电解去溢料液，其包括表面活性剂混合液，溶剂混合液，导电离子混合物，中和剂溶液，络合剂混合物，缓冲剂混合物；所述溶剂混合液成分质量比例为50％，所述导电离子混合物质量成分比例为20％，所述的表面活性剂混合液质量成分比例为10％，所述的中和剂溶液质量成分比例为18％，所述的络合剂混合物质量成分比例为0.1％，所述缓和剂混合物质量成分比例为0.1％。

一种中性电解去溢料液的制作工艺，其工艺过程为：先取1千克溶剂混合液倒进反应釜内部，反应釜转速设定为200转/分钟,温度为40°，在正常大气压情况下均匀充分搅拌1小时。

接着，再取0.1千克表面活性剂混合液缓慢倒进反应釜，反应釜转速设定为200转/分钟,温度为40°，在正常大气压情况下均匀充分搅拌1小时。

接着，再取0.01千克络合剂混合物缓慢倒进反应釜，反应釜转速设定为300转/分钟,温度为60°，在正常大气压情况下均匀充分搅拌1小时。

接着，再取0.01千克缓蚀剂混合物缓慢倒进反应釜，反应釜转速设定为300转/分钟,温度为60°，在正常大气压情况下均匀充分搅拌1小时。

接着，再取0.4千克导电离子混合物缓慢倒进反应釜，反应釜转速设定为300转/分钟,温度为60°，正常大气压情况下均匀充分搅拌4小时、冷却到常温。