[发明专利]半导体结构、封装结构及其制造方法

说明书

本发明实施例提供了一种包括至少一个集成电路组件的半导体结构。所述至少一个集成电路组件包括第一半导体衬底及电耦合到所述第一半导体衬底的第二半导体衬底，其中所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底通过第一混合结合界面结合。所述第一半导体衬底及所述第二半导体衬底中的至少一者包括至少一个第一埋入式电容器。

技术领域

本发明实施例是有关于一种半导体结构、封装结构及其制造方法。

背景技术

在各种电子应用(例如移动电话及其他移动电子设备)中使用的半导体装置及集成电路通常被制造在单个半导体晶片上。在晶片层级工艺中，可针对晶片中的半导体管芯进行加工处理。晶片的半导体芯片可与其他半导体器件、半导体芯片、半导体封装件一起加工及封装，且已开发出各种技术来进行晶片级封装。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构包括至少一个集成电路组件。所述至少一个集成电路组件包括第一半导体衬底及电耦合到所述第一半导体衬底的第二半导体衬底，其中所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底通过第一混合结合界面结合。所述第一半导体衬底及所述第二半导体衬底中的至少一者包括至少一个第一埋入式电容器。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实质上，为了清楚起见，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1A至图1I是根据本公开的一些实施例制造封装结构的各种阶段的示意性剖面图。

图2A至图2D是根据本公开的一些实施例制造封装结构中的集成电路组件的各种阶段的示意性剖面图。

图3A至图3C是根据本公开的一些实施例制造封装结构中的集成电路组件的各种阶段的示意性剖面图。

图4是根据本公开的一些实施例的封装结构中的集成电路组件的示意性剖面图。

图5是根据本公开的一些实施例的封装结构中的集成电路组件的示意性剖面图。

图6是根据本公开的一些实施例的封装结构中的集成电路组件的示意性剖面图。

图7是根据本公开的一些实施例的封装结构中的集成电路组件的示意性剖面图。

图8是根据本公开的一些实施例的封装结构中的集成电路组件的示意性剖面图。

图9是根据本公开的一些实施例的封装结构中的集成电路组件的示意性剖面图。

图10是根据本公开的一些实施例的封装结中构的集成电路组件的示意性剖面图。

图11是根据本公开的一些实施例的封装结构中的集成电路组件的示意性剖面图。

[符号的说明]

10：封装结构

100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H、100I、100J、100K：集成电路组件

110A、110B、110B′、110C、110C′、110D、110D′：半导体衬底

120：内连线结构

122、162、222：层间介电质

124、164：图案化导电层

131A、131B、131C、131D、131E：导电接垫

132A、132B、132C、132D、132E：钝化层

133A、133B、133C、133D、133E：后钝化层