[发明专利]硅单晶的制造方法

权利要求书

1.硅单晶的制造方法，其中，通过在向熔融带域吹附掺杂气体的同时控制电阻率的浮区法，培育硅单晶，所述方法的特征在于，实施下述步骤：

第1步骤，利用规定的培育装置而获取硅单晶的培育实际数据；

第2步骤，基于获取的所述硅单晶的培育实际数据，演算所述硅单晶的电阻率的实际值与所述硅单晶的掺杂气体吸收率的关系，其中硅单晶的电阻率的实际值与掺杂气体吸收率的关系成为相对于掺杂气体供给量独立、掺杂气体吸收率随着电阻率变大而降低的比例关系；

第3步骤，基于演算的电阻率的实际值和掺杂气体吸收率的关系，由使用同一培育装置制造的硅单晶的电阻率的目标值，演算掺杂气体供给量；和

第4步骤，在利用演算的掺杂气体供给量而吹附掺杂气体的同时，控制培育的硅单晶的电阻率。

2.根据权利要求1所述的硅单晶的制造方法，其特征在于，

所述第1步骤中，获取同一培育装置中的前一次培育实际数据。

3.硅单晶的制造方法，其中，通过在向熔融带域吹附掺杂气体的同时控制电阻率的浮区法，使用同一培育装置而培育硅单晶，所述方法的特征在于，实施下述步骤：

根据前一次硅单晶制造中的硅单晶的培育实际数据和所述硅单晶的电阻率的实际值演算前一次硅单晶制造中的所述硅单晶的掺杂气体吸收率的步骤，其中硅单晶的电阻率的实际值与掺杂气体吸收率的关系成为相对于掺杂气体供给量独立、掺杂气体吸收率随着电阻率变大而降低的比例关系；和

在这一次培育的硅单晶的电阻率的目标值比前一次硅单晶的电阻率的实测值更大时，使用比前一次硅单晶的掺杂气体吸收率更小的掺杂气体吸收率，在这一次培育的硅单晶的电阻率比前一次硅单晶的电阻率的实测值更小时，使用比前一次硅单晶的掺杂气体吸收率更大的掺杂气体吸收率，从而控制这一次培育的硅单晶的电阻率的步骤。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的硅单晶的制造方法，其特征在于，

所述硅单晶的培育实际数据至少包含所述硅单晶的目标直径、电阻率、晶体输送速度、掺杂气体流量、和掺杂气体浓度。