[发明专利]扇出型半导体封装件

说明书

本发明提供一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：芯构件，具有第一通孔并包括布线层；第一半导体芯片，设置在所述第一通孔中并具有形成在所述第一半导体芯片的下侧上的第一连接焊盘；第一包封剂，覆盖所述芯构件和所述第一半导体芯片；连接构件，设置在所述芯构件和所述第一半导体芯片的下方并包括重新分布层；第一堆叠芯片，设置在所述第一包封剂上并通过第一连接导体电连接到所述布线层；以及第二包封剂，设置在所述第一包封剂上并覆盖所述第一堆叠芯片。所述第一半导体芯片包括DRAM和/或控制器，所述第一堆叠芯片包括堆叠型NAND闪存，并且所述第一半导体芯片的第一连接焊盘通过所述重新分布层电连接到所述布线层。

本申请要求于2018年4月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0045020号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种电连接结构可延伸到其中设置有半导体芯片的区域的外部的扇出型半导体封装件。

背景技术

固态硬盘(SSD)是使用NAND闪存存储信息的装置，比硬盘驱动器(HDD)快，并且可减小尺寸和重量，且具有较低的故障率，产热少且噪声小。近年来，随着SSD容量增大，SSD已替代或补充HDD，并且已经应用到上网本和平板电脑。

同时，根据这种小尺寸产品的应用要求，半导体芯片的尺寸正持续减小，并且在形成半导体封装件时为电信号的连接而提出的半导体封装技术中的一种是扇出型封装。在扇出型封装应用到其的传统的层叠封装(POP)型封装结构的情况下，分开制造下封装件和上封装件以形成整个封装件，在这种情况下，产品的厚度相当大且还可能发生信号损耗。

发明内容

本公开的一方面可提供一种能够同时执行各种功能、纤薄化且具有低的信号损耗的扇出型半导体封装件。

本公开的一方面可将堆叠型NAND闪存直接安装在DRAM和/或控制器被封装在其中的下封装件上，并且可使用连接导体将NAND闪存连接到下封装件的芯构件的布线层和连接构件的重新分布层，从而执行重新分布。

根据本公开的一方面，一种扇出型半导体封装件可包括：芯构件，具有第一通孔并包括一个或更多个布线层；第一半导体芯片，设置在所述第一通孔中并具有形成在所述第一半导体芯片的下侧上的第一连接焊盘；第一包封剂，覆盖所述芯构件的至少一部分和所述第一半导体芯片的至少一部分；连接构件，设置在所述芯构件和所述第一半导体芯片的下方并包括一个或更多个重新分布层；第一堆叠芯片，设置在所述第一包封剂上并通过第一连接导体电连接到所述芯构件的所述一个或更多个布线层；以及第二包封剂，设置在所述第一包封剂上并覆盖所述第一堆叠芯片的至少一部分。所述第一半导体芯片可包括DRAM和控制器中的至少一者，所述第一堆叠芯片可包括堆叠型NAND闪存，并且所述第一半导体芯片的所述第一连接焊盘可通过所述连接构件的所述一个或更多个重新分布层电连接到所述芯构件的所述一个或更多个布线层。

根据本公开的另一方面，一种扇出型半导体封装件可包括：芯构件，具有彼此分开的第一通孔和第二通孔，并包括一个或更多个布线层；第一半导体芯片，设置在所述第一通孔中并具有形成在所述第一半导体芯片的下侧上的第一连接焊盘；第二半导体芯片，设置在所述第二通孔中并具有形成在所述第二半导体芯片的下侧上的第二连接焊盘；第一包封剂，覆盖所述芯构件的至少一部分、所述第一半导体芯片的至少一部分和所述第二半导体芯片的至少一部分；连接构件，设置在所述芯构件、所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的下方并包括一个或更多个重新分布层；第一堆叠芯片，设置在所述第一包封剂上并通过第一连接导体电连接到所述芯构件的所述一个或更多个布线层；第二堆叠芯片，设置在所述第一包封剂上并通过第二连接导体电连接到所述芯构件的所述一个或更多个布线层；以及第二包封剂，设置在所述第一包封剂上并覆盖所述第一堆叠芯片的至少一部分和所述第二堆叠芯片的至少一部分。所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘可通过所述连接构件的所述一个或更多个重新分布层分别电连接到所述芯构件的所述一个或更多个布线层。

附图说明