[发明专利]设置镁铝合金膜的多层压电基片及其制备方法

说明书

一种设置镁铝合金膜的多层压电基片，包括依次设置的压电基体层、导电层，所述导电层为镁铝合金膜，本发明采用镁铝合金作为溅射膜，镁为六方晶系，易于与相同晶格结构的压电基体层结合，而合金中的铝则可以作为传声的材料，提高传声效率，镁作为连接材料，增大导电层与基片层之间的结合力，如此解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题；并且，合金膜与铝膜均为金属膜，二者依靠金属键结合，结合状态良好，不易脱落。

技术领域

本发明涉及滤波器用基片制备技术领域，尤其涉及一种设置镁铝合金膜的多层压电基片及其制备方法。

背景技术

在声表面波器件中，铝膜由于有比较低的声阻，是生产声表面波的最适合的材料。但铝膜在生长过程中，由于和基体压电材料晶格不匹配，生长的铝膜晶格严格扭曲，铝膜应力较大，在声表面波应用中，由于高频、高功率的声电作用下，很容易产生因铝膜与基体材料分离而导致电极脱落的现象。

而在声表面波滤波器的蜂窝无线应用中，要求器件能承受大至 1W的发射或接受功率。然而在大电流作用下，由于铝原子的迁移效应，电极处很容易断路或短路 ,高功率给基片表面带来的高温使器件很易失效。

发明内容

有必要提出一种设置镁铝合金膜的多层压电基片。

还有必要提出一种多层压电基片的制备方法。

一种设置镁铝合金膜的多层压电基片，包括依次设置的压电基体层、导电层，所述导电层为镁铝合金膜。

一种制备所述多层压电基片的方法，包括以下步骤：

步骤1、将压电基体层置于混合酸溶液中浸泡，使基片表面处于疏水状态，有利于金属原子在上面的附着；

步骤2、利用磁控溅射在压电基体层的表面沉积一层导电层。

本发明选择与声表面波滤波器的叉指换能器200基片晶格结构相匹配的金属作为溅射膜材料，以提升叉指换能器的使用寿命和温度稳定性。

附图说明

图1为所述叉指换能器设置于多层压电基片上的结构示意图。

图2为部分多层压电基片的截面图。

图3为另一种实施方式中部分多层压电基片的截面图。

图中：多层压电基片100、压电基体层10、过渡层20、导电层30、叉指换能器200。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

参见图1、图2，本发明实施例提供了一种设置镁铝合金膜的多层压电基片100，一种实施例中，包括依次设置的压电基体层10、导电层30，所述导电层30为镁铝合金膜。

参见图1、图3，在另一种实施方式中，该叉指换能器包括依次设置的压电基体层10、过渡层20、导电层30，所述过渡层20为镁铝合金膜，所述导电层30为铝膜。

进一步，镁铝合金膜中镁含量与铝含量的比例为20%～40%：80%～60%。例如，二者比例可以为20%：80%、30%：70%、50%：50%等。

本发明采用镁铝合金作为过渡膜材料，镁为六方晶系结构，其晶系结构和晶格参数如下表格所示：

由于铝是立方晶系，铌酸锂、钽酸锂等压电基片材料是六方晶系，铝膜在铌酸锂、钽酸锂上直接生长时，由于二者晶格结构不匹配，且由于铝膜为金属膜，压电基体层10为非金属材料层，导致生长的铝膜晶格严格扭曲，铝膜应力较大。