[发明专利]纳米涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米涂层的制备方法，其特征在于，其包括：

利用原子层沉积技术在基材表面的纳米二氧化硅涂层上沉积三甲基铝薄膜，其中，所述纳米二氧化硅涂层通过等离子体增强化学气相沉积法制备得到。

2.根据权利要求1所述的纳米涂层的制备方法，其特征在于，所述纳米二氧化硅涂层通过以下步骤制备得到：将所述基材置于等离子体增强化学气相沉积腔室中，以SiH₄和N₂O为反应气源进行沉积；

优选地，所述SiH₄和所述N₂O的体积比为1：0.1-5，更优选1：0.1-2；

优选地，所述基材选自石英玻璃、硅片、云母片、陶瓷和聚乙烯中的一种。

3.根据权利要求1所述的纳米涂层的制备方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积法采用的沉积温度为30-300℃，优选100-200℃，更优选120-180℃；射频电源功率为20-200W，优选60-80W，更优选65～75W；工作压强为10-150Pa，优选80-100Pa，更优选85-95Pa；沉积时间为1-10min，优选5-10min，更优选6-9min。

4.根据权利要求1所述的纳米涂层的制备方法，其特征在于，所述三甲基铝薄膜的厚度为0.1-1nm，优选0.8～1nm。

5.根据权利要求1所述的纳米涂层的制备方法，其特征在于，利用所述原子层沉积技术沉积所述三甲基薄膜具体包括：

将所述纳米二氧化硅涂层放入原子层沉积设备的反应腔体内，氩气进行第一次吹扫，再采用三甲基铝为第一前驱体，加热形成蒸汽，以脉冲形式将三甲基铝蒸汽送入反应腔体对所述纳米二氧化硅涂层进行第一次脉冲和第一次暴露，再用氩气进行第二次吹扫；再以去离子水为第二前驱动体，以脉冲形式送入反应腔体对所述纳米二氧化硅涂层进行第二次脉冲和第二次暴露，再用氮气进行第三次吹扫，完成一次沉积循环，重复沉积循环10-10000次，然后再进行所述第一前驱体半个循环沉积，暴露，吹扫。

6.根据权利要求5所述的纳米涂层的制备方法，其特征在于，所述第一次脉冲的时间为0.05-0.2s，所述第一次暴露的时间为5～15s；第二次脉冲的时间为0.01-0.2s，所述第二次暴露的时间为5～15s。

7.根据权利要求5所述的纳米涂层的制备方法，其特征在于，加热三甲基铝的温度为100-200℃。

8.根据权利要求5所述的纳米涂层的制备方法，其特征在于，所述第一次吹扫时间为1-10min，所述第二次吹扫时间为15-30s，所述第三次吹扫时间为20-40s。

9.根据权利要求5所述的纳米涂层的制备方法，其特征在于，重复沉积循环的次数为1000～10000次。

10.一种纳米涂层，其特征在于，其由权利要求1～9任一项所述的纳米涂层的制备方法制备得到。