[发明专利]延迟控制电路在审

专利信息
申请号: 201811549095.7 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN110011646A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 李信泳;蔡官烨 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H03K5/133 分类号: H03K5/133
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周泉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 第一开关 延迟单元 电容器 延迟控制电路 第一电容器 第一端 步进 控制信号 相器 断开 接通 输出 配置
【权利要求书】:

1.一种延迟控制电路,包括:

第一步进延迟单元,包括:

第一开关,所述第一开关的第一端连接到第一节点,以及

第一电容器,连接到所述第一开关的第二端;

第二步进延迟单元,包括:

第二开关,所述第二开关的第一端连接到第二节点,以及

第二电容器,连接到所述第二开关的第二端;以及

第一反相器,被配置为将所述第一步进延迟单元的输出耦接到所述第二步进延迟单元的输入,并且

其中,所述第一开关和所述第二开关通过相同的控制信号接通和断开。

2.根据权利要求1所述的延迟控制电路,其中,所述第一步进延迟单元还包括第二反相器和第三反相器,

所述第二步进延迟单元还包括第四反相器和第五反相器,

所述延迟控制电路还包括第六反相器,所述第六反相器被配置为将所述第二步进延迟单元的输出耦接到所述延迟控制电路的输出,

所述第二反相器的输出在所述第一节点处耦接到所述第三反相器的输入,

所述第二反相器被配置为接收第一输入信号,

所述第三反相器的输出是所述第一步进延迟单元的输出,

所述第一反相器被配置为将所述第三反相器耦接到所述第四反相器,

所述第四反相器的输出在所述第二节点处耦接到所述第五反相器的输入,

所述第四反相器的输入是所述第二步进延迟单元的输入,以及

所述第五反相器的输出耦接到所述第六反相器的输入。

3.根据权利要求1所述的延迟控制电路,其中,所述第一步进延迟单元还包括第三开关和第三电容器,

所述第三开关的第一端连接到所述第一节点,并且所述第三电容器连接到所述第三开关的第二端,

所述第二步进延迟单元还包括第四开关和第四电容器,并且

所述第四开关的第一端连接到所述第二节点,并且所述第四电容器连接到所述第四开关的第二端。

4.根据权利要求3所述的延迟控制电路,其中,所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号,

所述第一控制信号被配置为控制所述第一开关和所述第三开关的接通和断开,并且

所述第二控制信号被配置为控制所述第二开关和所述第四开关的接通和断开。

5.根据权利要求4所述的延迟控制电路,其中,所述控制信号是根据二进制码提供的,

所述第一电容器和所述第三电容器具有第一电容值,

所述第二电容器和所述第四电容器具有第二电容值,并且

所述第一电容值与所述第二电容值之比为2:1。

6.根据权利要求4所述的延迟控制电路,其中,所述控制信号是根据一元码提供的,并且

所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器具有相同的电容值。

7.根据权利要求1所述的延迟控制电路,其中,所述第一开关是第一传输门,

所述第二开关是第二传输门,并且

所述控制信号被提供到所述第一传输门的第一栅极和所述第二传输门的第二栅极。

8.根据权利要求1所述的延迟控制电路,其中,所述第一开关是第一场效应晶体管,

所述第二开关是第二场效应晶体管,并且

所述控制信号被提供到所述第一场效应晶体管的第一栅极和所述第二场效应晶体管的第二栅极。

9.根据权利要求1所述的延迟控制电路,其中,所述第一电容器和所述第二电容器是金属氧化物半导体电容器。

10.根据权利要求1所述的延迟控制电路,其中,所述控制信号是根据二进制码提供的,

所述第一步进延迟单元包括呈有序序列的m个电容器,其中,所述m个电容器包括所述第一电容器,并且

所述有序序列中的两个相邻电容器的值之比是1/2。

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